时间：2025/12/26 3:45:02
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TPD6V8LP-7是一款由Diodes Incorporated生产的单通道、低电容、双向瞬态电压抑制二极管（TVS），专为保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态过电压事件的影响而设计。该器件采用微型SOD-723封装，具有较小的占位面积，非常适合用于空间受限的便携式电子设备。其主要功能是在正常工作条件下呈现高阻抗状态，而在遭遇瞬态过压时迅速变为低阻抗状态，将有害电流引导至地，从而保护下游电路。TPD6V8LP-7的击穿电压适中，钳位性能优异，能够在极短时间内响应高达±30kV的空气和接触ESD脉冲（依据IEC 61000-4-2标准），确保系统在恶劣电磁环境下的稳定运行。由于其低漏电流和低电容特性，该TVS特别适用于高速数据线的保护，如USB接口、HDMI、SIM卡槽、音频线路等对信号完整性要求较高的场合。此外，该器件具备良好的热稳定性与长期可靠性，符合RoHS环保标准，并支持无铅回流焊工艺，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端产品中。
类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
通道数：1
极性：双向
工作电压（VRWM）：6.8V
击穿电压（VBR）：最小7.6V，典型值8.4V，最大9.3V
最大钳位电压（VC）：13.5V @ IPP = 1.8A
峰值脉冲电流（IPP）：1.8A
峰值脉冲功率（PPPM）：200W
电容值（Cj）：典型值为0.4pF（在0V偏压下）
漏电流（IR）：最大值为0.1μA（在25°C，VRWM=6.8V时）
ESD耐受能力：±30kV（IEC 61000-4-2 Contact & Air Discharge）
响应时间：小于1ns
封装形式：SOD-723
工作温度范围：-55°C 至 +150°C（TJ）
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
TPD6V8LP-7的核心特性之一是其超低结电容，典型值仅为0.4pF，在高频信号路径中几乎不会引入额外的信号衰减或失真，因此非常适用于现代高速数字接口的ESD防护。这一低电容特性使得它能够在不影响数据传输速率的前提下提供可靠的保护，尤其适合用于USB 2.0、高速I2C、MIPI等差分或单端信号线路。该器件采用双向结构设计，能够有效应对正负方向的瞬态电压冲击，无需考虑极性连接问题，提升了设计灵活性和安装便利性。其快速响应时间小于1纳秒，意味着在ESD事件发生的瞬间即可立即导通并将能量泄放到地，防止电压上升至损坏IC的程度。同时，TPD6V8LP-7具备高达±30kV的ESD防护等级，完全满足IEC 61000-4-2 Level 4的最严格测试标准，展现出卓越的抗干扰能力和系统鲁棒性。
另一个关键优势在于其极低的漏电流，最大仅0.1μA，这保证了在待机或低功耗模式下不会因防护器件自身产生显著的静态功耗，有助于延长电池供电设备的续航时间。器件的钳位电压控制在13.5V以下，远低于大多数CMOS集成电路的绝对最大额定电压，从而提供了足够的安全裕度。SOD-723封装尺寸仅为1.0mm × 0.6mm × 0.45mm，属于业界主流的小型化封装之一，便于实现紧凑布局并节省PCB空间。此外，该TVS二极管经过优化设计，具有良好的热循环稳定性和长期老化性能，可在严苛环境下持续工作。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，并兼容自动化贴片工艺，适合大规模生产应用。
TPD6V8LP-7主要用于各类便携式消费类电子产品中的信号线ESD保护。典型应用场景包括智能手机和平板电脑上的USB Type-A或Type-C接口数据线保护，防止用户插拔过程中产生的静电损坏主控芯片。在SIM卡、microSD卡插槽等经常暴露于外部环境的连接器上，该器件也常被用来提升系统的抗扰度和可靠性。此外，它还可应用于耳机插孔、麦克风输入、触摸屏控制器信号线以及小型传感器模块的数据通信线路中，确保在频繁人体接触环境下仍能维持稳定的电气性能。在工业控制领域，可用于保护低速通信总线如I2C、SPI、UART等免受现场瞬变干扰。由于其出色的高频特性，也可部署在部分RF前端电路或天线开关模块中作为辅助保护措施。在汽车电子中，虽然不直接用于高功率总线，但在车载信息娱乐系统的辅助接口（如USB充电口）中仍有使用价值。总之，凡是需要在微小封装内实现高性能ESD防护的低压、高速信号线路，TPD6V8LP-7都是一个理想选择。
SP1006-06UTG
