TPD1E1B04DPYT 是一款来自德州仪器(TI)的 ESD(静电放电)保护二极管阵列。该器件专为高速信号线提供瞬态电压抑制保护而设计,能够有效防止因静电放电或其他瞬态事件引起的损坏。
该器件采用小尺寸 DSBP-8 封装,非常适合对空间要求较高的应用场合。其低电容特性使其特别适合用于高速数据线和高频信号路径中的保护。
工作电压:±8kV(空气放电),±8kV(接触放电)
最大箝位电压:20V
动态电阻:1Ω
负载电容:0.5pF
反向漏电流:1nA
封装类型:DSBP-8
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
TPD1E1B04DPYT 提供了出色的 ESD 保护能力,同时保持了非常低的电容值,从而减少了对信号完整性的干扰。
以下是该芯片的一些主要特性:
- 高度集成的 ESD 保护解决方案,适用于多条信号线。
- 超低负载电容(仅 0.5pF),确保在高速信号线上的最小信号失真。
- 符合 IEC61000-4-2 标准的 ±8kV 接触放电和 ±8kV 空气放电保护。
- 低泄漏电流(1nA),有助于减少功耗。
- 小型封装(DSBP-8),节省电路板空间。
- 工作温度范围广(-40°C 至 +125°C),适应多种环境条件。
TPD1E1B04DPYT 广泛应用于需要对高速信号线进行 ESD 保护的电子设备中。常见的应用场景包括:
- USB 3.0/USB 3.1 数据线保护。
- HDMI、DisplayPort 和其他高速视频接口的保护。
- 移动设备(如智能手机和平板电脑)中的天线和传感器保护。
- 工业自动化系统中的通信接口保护。
- 汽车电子系统中的高速数据总线保护。
TPD1S924QPWQT, TPD1E04U04-Q1, TPD1E1B06