TPC8218-H 时间：2025/7/23 17:44:08 阅读：8

TPC8218-H是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和电机控制等应用。该器件采用高性能的沟槽式栅极技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于工业控制、电源管理、汽车电子和消费类电子设备中的功率开关元件。TPC8218-H为N沟道增强型MOSFET，封装形式通常为SOP（小外形封装）或类似的表面贴装封装，便于在PCB上安装和散热管理。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：12A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：约7.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V（范围）
　　最大耗散功率（PD）：40W（取决于封装和散热条件）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOP-8或类似

特性

TPC8218-H采用先进的沟槽式栅极结构，提供了较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件具有良好的热稳定性和较高的电流密度，能够在高负载条件下稳定运行。此外，TPC8218-H具备较高的dv/dt耐受能力，能够有效防止因快速电压变化引起的误触发。其低栅极电荷（Qg）特性使得驱动损耗降低，提高了开关速度和整体系统效率。这款MOSFET还具备较高的短路耐受能力，适合用于需要高可靠性的应用场景，如电机驱动和电源转换系统。
　　TPC8218-H的设计优化了开关性能，使其在高频工作条件下表现出色，适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等应用。其封装形式支持表面贴装工艺，提高了生产效率并减少了PCB空间占用。

应用

TPC8218-H广泛应用于需要高效功率控制的电子系统中，包括工业自动化设备、电动工具、电动自行车和电动汽车中的电机驱动器。在电源管理领域，它常用于高效DC-DC转换器、同步整流模块和电池充电系统。此外，该MOSFET还可用于消费类电子产品中的电源开关和负载管理，如智能家电、UPS（不间断电源）和储能系统。在汽车电子中，TPC8218-H可用于车载充电器、车灯控制系统和电动助力转向系统等应用。