TPC6902 时间：2025/8/13 17:09:24 阅读：8

TPC6902是一款由东芝（Toshiba）公司推出的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率、高功率密度的电源应用。该器件采用先进的沟槽式栅极结构，具有低导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，适用于如DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动、负载开关以及各类高功率便携设备等应用场景。

参数

晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大7.5mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP Advance（HZIP）
　　功率耗散（PD）：100W

特性

TPC6902具备多项优异的电气和热管理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件支持高达60A的连续漏极电流，能够满足大功率负载的需求。此外，TPC6902具有较高的耐压能力（30V VDS），在各种电压波动环境下依然能够稳定工作。
　　该器件采用先进的沟槽式栅极技术，提升了载流子迁移率，从而进一步降低Rds(on)并提高开关速度。同时，TPC6902的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　在热管理方面，TPC6902采用了SOP Advance（HZIP）封装，具有良好的散热性能，能够在高功耗条件下保持较低的结温。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。

应用

TPC6902广泛应用于多个高性能电源管理领域。例如，在DC-DC转换器中，TPC6902作为主开关器件，可有效提高转换效率并减小系统体积；在电池管理系统中，该器件用于实现高效的充放电控制；在电机驱动电路中，TPC6902可用于H桥结构，实现高功率输出和快速响应。
　　此外，TPC6902还可用于电源负载开关、服务器电源、便携式设备电源管理模块、LED驱动器以及各类高功率负载切换应用。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载DC-AC逆变器等。
　　由于其优异的导通特性和高可靠性，TPC6902也常用于需要高效率和高稳定性的工业自动化设备、UPS系统以及智能电网相关设备。