类型：功率MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 2.7mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：双面散热封装（WMK）
　　安装方式：螺钉安装
　　最大耗散功率：300W
　　栅极电荷（Qg）：典型值为 140nC
　　短路耐受能力：具备
　　绝缘等级：符合UL认证标准

TPC-WMK1 功率模块具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其双面散热封装（WMK）设计显著提高了热传导效率，使模块能够在高电流条件下保持较低的温度，从而提升整体系统可靠性。其次，模块内部集成了多个低导通电阻（Rds(on)）MOSFET，有助于减少导通损耗，提高系统能效。此外，该模块具备优异的短路耐受能力，可在极端工作条件下提供更高的安全性和稳定性。TPC-WMK1 还采用了先进的封装技术，确保良好的机械强度和长期耐用性，适用于严苛的工业和车载环境。其高集成度设计也减少了外围元件数量，简化了电路布局，降低了设计复杂度和生产成本。

TPC-WMK1 常用于高性能功率转换系统，如工业电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备。其高电流承载能力和优异的热管理性能使其特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统。在电动汽车领域，该模块可用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，提高能源利用率并延长电池续航时间。此外，该模块也适用于自动化生产线中的高功率伺服驱动器，为工业4.0系统提供稳定可靠的功率支持。

TPC-WMK2, TPC-WMK3, IXYS IXFN系列, Infineon CoolMOS模块