类型：功率MOSFET
　　封装类型：表面贴装（SOP）
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　功耗（PD）：2.5W

TPC 080-112 是一款具有优异性能的功率MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性。该器件采用了先进的平面工艺技术，确保了在高电流和高频率下的稳定工作。TPC 080-112 的低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统的整体效率，同时其高耐压特性使其能够承受较高的电压应力，确保在复杂工作环境中的可靠性。
　　此外，TPC 080-112 还具有良好的热管理能力，能够在高温环境下保持稳定的工作状态，避免因过热而导致的性能下降或器件损坏。该器件的封装设计便于安装和散热，适用于高密度的PCB布局。其表面贴装封装形式也简化了自动化生产流程，提高了生产效率和焊接可靠性。
　　在实际应用中，TPC 080-112 的快速开关特性使其非常适合用于高频开关电源和DC-DC转换器，能够有效减少开关损耗并提高系统的整体能效。其高可靠性设计也使其成为电池管理系统和负载开关等关键应用的理想选择。

TPC 080-112 主要应用于电源管理和功率转换领域，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电源适配器以及各种高效率电源设备。其低导通电阻和高耐压特性使其非常适合用于需要高效能和稳定性的电源设计，特别是在高频开关应用中表现出色。此外，TPC 080-112 也可用于工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中的电源管理电路。

TPC 080-112 的替代型号包括Si2302DS和IRLML2402，这些型号在性能和封装上具有相似的特点，可根据具体应用需求进行选择。