时间：2025/8/9 14:28:22
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TP865C15R 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用了先进的沟槽栅技术，提供优异的导通电阻和开关性能。TP865C15R 特别适用于高效率、高密度的电源系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等。其额定电压为 80V，最大连续漏极电流可达 15A，确保在高功率负载下稳定运行。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：15A
导通电阻（RDS(on)）：40mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：70W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
技术：沟槽栅 MOSFET
TP865C15R 功率 MOSFET 采用了先进的沟槽栅结构，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该器件具有极低的开关损耗，适用于高频开关应用。其封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。TP865C15R 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 10V），兼容多种驱动电路。此外，该器件具有良好的热稳定性和短路耐受能力，适合在恶劣环境下使用。其高可靠性使其广泛应用于工业电源、汽车电子、通信设备和消费类电子产品中。
在电气特性方面，TP865C15R 的漏极-源极击穿电压为 80V，确保在中高电压应用中安全运行。其最大连续漏极电流为 15A，瞬时电流能力更强，可应对突变负载情况。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高整体能效。此外，该 MOSFET 具有较低的反向恢复电荷（Qrr），适用于高频整流和同步整流应用，进一步提升系统效率。
TP865C15R MOSFET 广泛应用于多种功率电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、服务器电源、电信设备以及车载电源系统等。由于其高效率和高可靠性，该器件在需要高性能功率开关的场合尤为受欢迎。此外，TP865C15R 也适用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）电路等高功率应用。其宽泛的温度适应能力使其在汽车电子和工业控制领域中具有良好的稳定性。
IRFZ44N, STP15NF80, FDP865C15R, IRLB8721, SiHF865C15
