时间：2025/8/9 0:32:06
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TP862C15R 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，专为高效率和高可靠性的功率应用设计。该模块集成了多个MOSFET芯片，采用高性能封装技术，适用于工业电源、电动汽车（EV）充电设备、可再生能源系统以及电机驱动等领域。TP862C15R具有低导通电阻、高热稳定性和紧凑的结构设计，能够在高负载条件下提供稳定的性能。
类型：MOSFET模块
最大漏极电流：150A
最大漏源电压：600V
导通电阻：15mΩ
封装类型：双面散热封装
工作温度范围：-40°C至+150°C
栅极驱动电压：10V至20V
TP862C15R的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），仅为15mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
此外，该模块采用先进的双面散热封装技术，能够有效提升热管理性能，使模块在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，从而增强系统的稳定性和可靠性。
TP862C15R的高耐压能力（最大漏源电压600V）使其适用于高压功率转换系统，如光伏逆变器和电动汽车充电设备。
模块的结构设计紧凑，有助于节省PCB空间，并简化了系统的散热设计。
其栅极驱动电压范围为10V至20V，适用于多种驱动电路配置，提供灵活的设计选项。
该模块还具备高短路耐受能力，可在异常工作条件下提供额外的安全保障。
TP862C15R广泛应用于需要高效功率转换和高可靠性的系统中。
在电动汽车充电设备中，该模块可用于AC-DC或DC-DC转换器，提供高效率的能量转换。
在工业电源领域，TP862C15R可用于不间断电源（UPS）、电焊机和感应加热设备。
由于其高耐压和高电流能力，该模块也常用于光伏逆变器和风力发电系统中的功率转换环节。
此外，TP862C15R还可用于电机驱动系统，如工业自动化设备和电动工具中的变频器和伺服驱动器。
Toshiba TP862C15R的替代型号包括Infineon Technologies的IMZA65R048M1H和STMicroelectronics的STH120N65M5。
