类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：150W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤6.5mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-220

TP802C06具有多项先进的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件具备较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。
　　TP802C06采用了东芝的U-MOS技术，提供了优异的开关特性，包括快速的开关速度和低开关损耗。这对于高频开关应用尤为重要，因为它有助于减少开关过程中的能量损失并提高系统响应速度。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，得益于其封装设计和内部结构优化，能够在高温环境下保持可靠运行。其额定栅源电压为±20V，使得该器件在驱动电路设计中具有更高的灵活性和抗干扰能力。
　　此外，TP802C06具有较高的雪崩能量耐受能力，可以在瞬态过压条件下提供一定的保护作用，增强系统的鲁棒性。这种特性在电机驱动和感性负载切换等场合尤为重要。

TP802C06广泛应用于各种功率电子设备中，尤其适合高电流、高效率要求的场合。常见的应用包括但不限于：DC-DC转换器，用于提供稳定的电压输出；同步整流器，在开关电源中替代传统二极管以提高效率；电机驱动电路，用于控制电动工具、电动车或自动化设备中的电机；电池管理系统，如充电器或储能系统的开关控制；以及各种工业自动化设备中的功率开关模块。
　　由于其优异的导通和开关性能，TP802C06也非常适合用于高频电源变换器和节能型电源系统中。在新能源领域，例如太阳能逆变器或电动汽车充电系统中，该MOSFET同样可以作为核心功率器件使用。

SiHF60N60C3, IRF1404, STP100N6F6