时间：2025/8/9 9:26:30
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TP802C04R是一款由国产厂商推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，主要用于电源管理和功率开关应用。该器件具有较高的效率和较低的导通电阻，适用于多种电源管理电路、电机驱动、负载开关以及工业控制设备等场景。TP802C04R通常采用TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装形式，便于在PCB上安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：4mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
TP802C04R的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其4mΩ的典型导通电阻在高电流条件下能够显著减少发热，从而提高整体系统的稳定性。此外，该器件具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为80A，适用于需要大电流开关的应用场景。
该MOSFET具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较高的温度范围内可靠工作，适用于工业级和车载应用。栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种驱动电路设计，并具备较强的抗干扰能力。
TP802C04R还具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高电源转换效率。其封装设计便于安装和散热，适用于表面贴装工艺，有利于提高生产效率和可靠性。
TP802C04R广泛应用于各类功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动车控制器以及工业自动化设备中的功率开关模块。其高电流能力和低导通电阻也使其适用于高效率电源管理系统和大功率LED驱动电路。
在电动车和储能系统中，TP802C04R可用于电池充放电控制电路，作为主开关器件使用。此外，在服务器电源、通信电源以及UPS（不间断电源）系统中，该器件可用于同步整流和功率调节模块，提高整体系统的能效和稳定性。
Si444N10TY-T1-GE3, IRF1404, AO4404, NTD4859N, FDS4410
