型号：TP5015R
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 12mΩ（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　热阻（RθJC）：约1.2℃/W
　　功率耗散（PD）：80W

TP5015R采用了先进的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管（Trench MOSFET）技术，具备极低的导通电阻，从而显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　其封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在高功率密度设计中使用。这种封装形式还便于焊接和安装，适用于自动化生产流程。
　　该器件具有较高的耐压能力，最大漏源电压可达100V，适用于多种工业电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及负载开关等应用场景。
　　TP5015R的栅极驱动电压范围宽，支持标准的10V或增强型12V驱动，使其能够兼容多种控制器和驱动IC。此外，该器件在高温下仍能保持稳定的性能，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于苛刻的环境条件。
　　通过优化设计，TP5015R能够在高频率开关应用中表现出色，减少开关损耗并提升系统的响应速度。这种特性使其特别适合用于现代高效率电源转换系统，如服务器电源、通信设备电源、电动汽车充电模块等。

TP5015R广泛应用于各类电源管理系统中，尤其是在需要高效能功率转换的场合。其主要应用包括但不限于：同步整流型DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、光伏逆变器、工业自动化控制设备以及高功率LED驱动电源等。
　　在同步整流电路中，TP5015R可以有效替代传统的肖特基二极管，显著提升转换效率并降低发热。此外，其优异的导通特性和热管理能力使其在高频开关应用中表现尤为出色，适用于各种高功率密度电源模块的设计。
　　在电机驱动和电池管理系统中，TP5015R能够提供稳定的高电流输出能力，并具备良好的过载和短路保护能力，保障系统的稳定运行。在LED照明系统中，该器件可用于实现高效能恒流驱动方案，提升光源系统的能效和寿命。
　　由于其优异的性能和广泛的适用性，TP5015R也常用于通信设备、医疗电子设备以及车载电子系统等高可靠性要求的应用场景。

SiR178DP-T1-GE3, IRF3710, STP15NF10L, FDP15N10, IPD15N10S3-03