TP3067N 时间：2025/6/3 10:41:36 阅读：18

TP3067N是一款高性能的NMOS功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
　　TP3067N的设计使其非常适合需要高效能和稳定性的应用场合。它支持较高的工作电流，并且具备良好的热性能，有助于降低系统温度并提升整体稳定性。

参数

类型：NMOS
　　极性：N-Channel
　　漏源击穿V
　　连续漏极电流(Id)：25A
　　导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
　　栅极电荷(Qg)：48nC
　　最大功耗(Ptot)：95W
　　结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220

特性

TP3067N的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)）能够减少功率损耗，提高系统效率。
　　2. 高击穿电压（Vds）确保了器件在高压环境下的可靠运行。
　　3. 快速开关能力使其适用于高频开关应用。
　　4. 良好的热性能和大电流承载能力提升了器件的整体耐用性和适应性。
　　5. 支持较宽的结温范围，保证其在极端温度条件下的正常工作。
　　6. 封装形式便于安装和散热管理，同时提供优异的电气性能。

应用

TP3067N可以用于多种电力电子应用中，例如：
　　1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流管或主开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
　　4. 各种负载切换和保护电路。
　　5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
　　由于其高性能和可靠性，TP3067N成为许多高要求应用的理想选择。