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TP3067N 发布时间 时间:2025/6/3 10:41:36 查看 阅读:5

TP3067N是一款高性能的NMOS功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  TP3067N的设计使其非常适合需要高效能和稳定性的应用场合。它支持较高的工作电流,并且具备良好的热性能,有助于降低系统温度并提升整体稳定性。

参数

类型:NMOS
  极性:N-Channel
  漏源击穿V
  连续漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
  栅极电荷(Qg):48nC
  最大功耗(Ptot):95W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

TP3067N的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))能够减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 高击穿电压(Vds)确保了器件在高压环境下的可靠运行。
  3. 快速开关能力使其适用于高频开关应用。
  4. 良好的热性能和大电流承载能力提升了器件的整体耐用性和适应性。
  5. 支持较宽的结温范围,保证其在极端温度条件下的正常工作。
  6. 封装形式便于安装和散热管理,同时提供优异的电气性能。

应用

TP3067N可以用于多种电力电子应用中,例如:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管或主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 各种负载切换和保护电路。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
  由于其高性能和可靠性,TP3067N成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  Fairchild FDP5800

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TP3067N参数

  • 制造商National Semiconductor (TI)
  • 封装Tube
  • 工厂包装数量18