型号: 28F020-150
　　制造商: Intel (现 Micron)
　　存储类型: NOR Flash
　　存储容量: 2 Mbit (256 KB)
　　组织结构: 262144 x 8 bits
　　电源电压: 5V ±10%
　　访问时间: 150 ns
　　工作温度范围: 0°C 至 +70°C (商业级)
　　封装形式: PLCC32, DIP32
　　接口类型: 并行（地址/数据总线）
　　编程电压: 片内电荷泵生成
　　写保护功能: 软件命令控制
　　擦除方式: 扇区擦除或整片擦除
　　耐久性: 约10万次擦写周期
　　数据保持时间: 10年以上

28F020-150作为Intel早期推出的高性能NOR Flash存储器，具有稳定可靠、易于使用和广泛兼容的特点。其核心架构基于浮栅晶体管技术，能够在断电后长期保存数据，适合用于存储关键固件代码，如BIOS、Bootloader和嵌入式操作系统。该芯片支持标准的并行接口协议，具备独立的地址总线（A0-A17）和数据总线（DQ0-DQ7），便于直接连接微处理器或控制器，无需复杂的驱动程序即可实现快速读取操作。访问时间为150ns，满足当时大多数8位和16位系统的性能需求。芯片内置电荷泵电路，可在正常5V电源下完成编程和擦除操作，无需外部高压编程电压，简化了硬件设计。
　　在功能方面，28F020-150支持软件命令集控制，通过向特定地址写入预定义指令序列来执行写入、擦除和查询操作。这种机制提高了使用的灵活性，并允许开发者实现自定义的固件更新流程。芯片提供扇区擦除功能，可单独擦除部分存储区域，避免全片擦除带来的不便，提升了系统维护效率。同时，具备写保护机制，可通过软件锁定防止意外修改关键代码段，增强系统安全性。
　　该器件的工作温度范围为商业级（0°C至+70°C），适用于一般工业和消费类电子产品。尽管不支持现代低功耗模式，但其静态电流较低，在待机状态下功耗可控。由于采用成熟的CMOS工艺制造，芯片抗干扰能力强，稳定性高，适合在电磁环境较复杂的场合使用。虽然与当前主流的SPI串行Flash相比体积大、引脚多、成本高，但在某些老旧设备维修、军工设备备件替换以及教育实验领域仍有应用价值。

28F020-150主要用于上世纪90年代至2000年代初期的各种电子系统中，典型应用场景包括个人计算机的BIOS存储，因其具备可靠的读写性能和良好的兼容性，能够确保系统启动代码的安全性和稳定性。在嵌入式控制系统中，如工业PLC、数控机床和自动化仪表，该芯片用于存放固件程序和配置参数，支持现场升级和调试。此外，在网络通信设备如路由器、交换机和调制解调器中，也被用作引导程序存储器，配合处理器完成初始化加载任务。
　　在消费类电子产品中，28F020-150曾广泛应用于打印机、复印机、传真机等办公设备，用于存储设备驱动逻辑和用户界面代码。在汽车电子领域，部分早期车型的ECU（电子控制单元）或车载音响系统也采用此类NOR Flash存储控制程序。由于其并行接口特性，适合需要较高数据吞吐率的场合，尤其是在没有外部DMA支持的系统中能发挥优势。
　　目前，虽然该芯片已逐步被小型化、低功耗的串行Flash替代，但在设备维修、备件替换和逆向工程中仍具实用价值。特别是在无法获取原始芯片的情况下，工程师常通过读取28F020内容进行备份或分析，进而实现故障诊断与系统恢复。此外，在教学和科研实验中，因其接口简单、时序清晰，常被用作学习Flash存储原理和并行总线操作的教学工具。

M29F020-150
　　SST39SF020A-150
　　AM29F020-150