时间：2025/12/28 21:29:38
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TP24N54P287 是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，使其非常适合用于电源管理、DC-DC转换器和电机控制等应用。TP24N54P287 通常采用TO-247封装，具有良好的散热性能和可靠性。
类型：功率MOSFET
封装：TO-247
漏极电流（Id）：24A
漏源极击穿电压（Vds）：540V
栅源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值0.287Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
功率耗散（Ptot）：150W
TP24N54P287 的主要特性包括高电压和高电流处理能力，适用于多种功率电子应用。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高负载条件下的高效能运行，同时减少了导通损耗。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和快速的开关响应时间，使其在高频开关应用中表现出色。TP24N54P287 还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行，提高系统的可靠性和安全性。
该器件的设计优化了其在高温环境下的性能，确保了在连续高功率运行时的稳定性。此外，TP24N54P287 的封装设计提供了良好的散热路径，有助于降低结温，延长器件寿命。其栅极驱动要求较低，使得驱动电路设计更加简单且成本更低，适用于各种工业和消费类电子设备。
TP24N54P287 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的电气性能和热稳定性使其成为电源管理领域的理想选择。
STP24N54U, FDP24N54P287
