时间：2025/8/4 3:19:33
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TOP200-112 是由 Vishay Intertechnology 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能，适用于各种功率转换和电源管理应用。该器件采用 TO-220 封装，广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：11A
导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（最大值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：75W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
TOP200-112 MOSFET 具有出色的导通性能和低开关损耗，适用于高频开关应用。其低 RDS(on) 减少了导通损耗，提高了效率。该器件采用先进的沟槽技术，提供更高的热稳定性和可靠性。TO-220 封装有助于散热，适合高功率密度设计。此外，该 MOSFET 还具有高雪崩能量承受能力和出色的短路保护能力，确保在严苛环境下的稳定运行。
在栅极驱动方面，该器件支持标准逻辑电平控制，兼容常见的驱动电路。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高系统效率。此外，TOP200-112 还具有良好的抗过载能力和抗静电能力，适用于工业、汽车和消费类电子设备中的电源管理模块。
TOP200-112 主要用于各类功率电子系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。它也广泛应用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、LED 驱动器、电源适配器以及各种需要高效率、高可靠性的功率控制场合。由于其良好的热性能和封装设计，该器件在高电流和高频率工作条件下表现出色，是许多电源设计中的首选器件。
IRFZ44N, FDP6N60, STP55NF06L
