时间：2025/6/21 4:20:17
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TNM3K50F是一款基于氮化镓（GaN）技术的高功率密度场效应晶体管（FET），专为高频和高效能应用而设计。该器件采用了先进的封装技术，能够在高频开关条件下提供出色的性能表现。TNM3K50F适用于工业、通信以及消费类电子领域中的多种应用场景。
额定电压：600V
额定电流：50A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：120nC
最大工作温度：175°C
封装形式：TO-247
TNM3K50F具备低导通电阻和低栅极电荷的特点，使其在高频开关应用中表现出卓越的效率和性能。
其高耐压能力允许它在宽电压范围下运行，同时减少能量损耗。
内置的热保护功能确保了器件在极端条件下的可靠性。
GaN材料的使用使TNM3K50F具有更快的开关速度和更低的寄生电感，从而显著提升了系统效率。
此外，该器件还支持并联操作以实现更高的电流承载能力。
TNM3K50F广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、太阳能逆变器以及电动车充电设备等领域。
其高频特性非常适合于现代电力电子系统的紧凑型设计需求，同时也能够满足高性能要求的应用环境。
TMK50H060,
TNM3K50E,
STGG050N060,
INF50T06W
