TNK267PN 时间：2025/8/7 8:01:31 阅读：31

TNK267PN是一款N沟道功率MOSFET，通常用于高电流和高功率应用，如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于需要高效能和稳定性的电路设计。TNK267PN通常采用TO-220封装，具有良好的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

TNK267PN具有多项优良特性，使其适用于各种高功率电子应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高能效。其次，该器件的最大漏极电流为12A，能够在高负载条件下稳定工作。此外，60V的漏源电压（VDS）使该MOSFET适用于多种电源管理应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池管理系统。TNK267PN还具有良好的热稳定性，采用TO-220封装，有助于快速散热，延长器件使用寿命。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，使其兼容多种驱动电路。此外，其±20V的栅源电压容限提高了抗电压尖峰能力，增强了系统的可靠性。由于其具备快速开关特性，TNK267PN在高频应用中表现出色，适用于PWM控制和高速开关电路。
　　从可靠性角度来看，TNK267PN经过严格的测试，符合行业标准，确保在各种环境条件下稳定运行。其广泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于工业级和汽车电子应用。

应用

TNK267PN广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统。在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效能电能转换。在DC-DC转换器中，它用于高频开关，提高能量转换效率。在电机驱动和H桥电路中，TNK267PN能够承受较大的电流负载，实现精准的速度和方向控制。此外，该器件还可用于电池保护电路，作为高侧或低侧开关，防止过流和短路损坏电池组。由于其优异的热性能和可靠性，TNK267PN也常用于工业自动化设备、LED驱动器和电源适配器等应用中。