型号：TND731E4-TR
　　制造商：ON Semiconductor
　　封装/封装形式：DPAK (TO-252AA)
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：90 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：360 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=10V：3.1 mΩ
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=4.5V：4.3 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：74 nC
　　输入电容（Ciss）：3300 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：18 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35 ns
　　反向恢复时间（trr）：24 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　功耗（Ptot）：200 W

TND731E4-TR采用了安森美先进的沟槽式MOSFET工艺技术，这种结构能够在保持较低导通电阻的同时实现更高的电流密度。其超低的Rds(on)特性是该器件的核心优势之一，在Vgs=10V时仅为3.1mΩ，这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，从而提高了整体系统效率。即使在Vgs=4.5V的较低驱动电压下，Rds(on)也仅增加至4.3mΩ，表明其具有良好的逻辑电平兼容性，适用于由3.3V或5V微控制器直接驱动的场景。
　　该器件具有优异的热性能，得益于DPAK封装良好的散热设计，能够有效将芯片产生的热量传导至PCB，提升长期运行的可靠性。同时，高达200W的总功耗能力使得它可以在高功率密度设计中稳定工作。器件的栅极电荷Qg为74nC，属于中等偏低水平，有助于减少驱动损耗并加快开关速度，适用于高频开关应用如同步整流DC-DC变换器。
　　TND731E4-TR还具备出色的雪崩能量耐受能力和坚固的栅氧化层设计，增强了其在瞬态过压和浪涌条件下的鲁棒性。其快速的开关响应时间（开启延迟18ns，关断延迟35ns）确保了在高频PWM控制中精确的时序控制。此外，输入电容Ciss为3300pF，配合优化的布局可减少电磁干扰（EMI）。
　　该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在极端温度环境下可靠运行，适用于汽车电子和工业控制系统。反向恢复时间trr为24ns，体二极管性能良好，适合需要快速续流的应用。综合来看，TND731E4-TR在导通损耗、开关速度、热管理和可靠性方面实现了良好平衡，是一款高性能的中压N沟道MOSFET。

TND731E4-TR广泛应用于多种高效率电源和功率切换系统中。常见用途包括同步降压型DC-DC转换器，尤其是在服务器电源、笔记本电脑和通信设备的多相VRM（电压调节模块）设计中，利用其低Rds(on)特性来降低导通损耗，提高能效。由于其高达90A的连续漏极电流能力，也常用于大电流负载开关和热插拔控制器电路中，作为主功率开关元件。
　　在电机驱动领域，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流电机或步进电机，特别是在便携式电动工具和小型机器人系统中表现出色。其快速开关特性和低栅极电荷使其适合高频PWM调制控制，实现精确的速度和扭矩调节。
　　此外，TND731E4-TR在电池管理系统（BMS）和电源路径管理中也有应用，例如在电池充放电回路中作为通断开关，提供低损耗的电流传输路径。在汽车电子中，可用于车身控制模块、LED照明驱动和车载信息娱乐系统的电源管理单元。
　　工业自动化设备中的PLC模块、传感器供电电路和继电器驱动电路也常采用此类高性能MOSFET。由于其DPAK封装易于焊接和维修，并支持自动化贴片生产，因此在大批量制造中具有成本优势。总之，凡是需要高效、紧凑且可靠的N沟道功率开关的场合，TND731E4-TR都是一个极具竞争力的选择。

NTD7310N-D
　　FQP30N06L