TND721MH5-TL-E 时间：2025/7/5 5:49:11 阅读：61

TND721MH5-TL-E 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的封装技术以优化散热性能和电气特性，适用于要求高性能和小尺寸的应用场景。
　　这款 GaN 晶体管具有非常低的导通电阻和快速的开关速度，能够显著降低开关损耗并提升系统效率。其耐压能力较高，适合于电源转换、电机驱动、D类音频放大器以及射频功放等领域。

参数

型号：TND721MH5-TL-E
　　类型：增强型场效应晶体管（eGaN）
　　材料：氮化镓（GaN）
　　最大漏源电压：650 V
　　连续漏极电流：130 A
　　导通电阻：1.8 mΩ
　　栅极电荷：90 nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247-4L

特性

TND721MH5-TL-E 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，可减少传导损耗，从而提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度和低栅极电荷，有助于实现高频操作，同时降低开关损耗。
　　3. 高击穿电压和稳健的设计使其能够在严苛环境下可靠运行。
　　4. 内置反向恢复二极管功能，进一步简化了电路设计。
　　5. 先进的封装技术提供优秀的热管理和电气连接性能。
　　6. 支持多种保护机制，如过温保护和短路保护，增强了系统的安全性。
　　这些特性使得 TND721MH5-TL-E 成为现代高效功率转换解决方案的理想选择。

应用

TND721MH5-TL-E 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 太阳能逆变器中的功率级模块。
　　3. 电动汽车充电基础设施中的高频功率转换器。
　　4. 工业电机驱动和伺服控制器。
　　5. D 类音频放大器中的高效开关元件。
　　6. 射频功率放大器和其他高频信号处理设备。
　　TND721MH5-TL-E 的高性能和可靠性使其成为许多高端应用的首选器件。