类型：隔离式Σ-Δ调制器
　　通道数：1
　　供电电压（VDD1/VDD2）：3.0V ~ 5.5V
　　隔离耐压：3750VRMS（1分钟，符合UL1577）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：≥15kV/μs（典型值）
　　输出数据速率（ODR）：最高可达20MHz
　　参考输入电压范围：±250mV（满量程）
　　非线性误差（INL）：±0.1% FSR（典型值）
　　零点误差：±1mV（典型值）
　　增益误差：±0.5%（典型值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOIC-8（宽体）
　　数据接口：数字比特流输出（曼彻斯特编码可选）
　　隔离技术：电容隔离
　　电源电流：约5mA（每侧）

TND303S的核心特性之一是其高性能的电容隔离技术，该技术通过在芯片内部构建高介电强度的二氧化硅（SiO2）隔离层，实现了输入与输出之间的可靠电气隔离，隔离耐压可达3750VRMS，能够满足工业设备对安全隔离的严格要求。这种隔离机制不仅有效阻断了地电位差引起的共模干扰，还显著提升了系统在高压、强电磁干扰环境下的稳定性。相比于传统的光耦隔离方案，电容隔离具有更高的数据传输速率、更长的使用寿命以及更低的功耗，特别适合用于实时性要求高的闭环控制系统。
　　该器件采用Σ-Δ调制架构，能够将模拟输入信号转换为高频率的1位数字比特流，输出数据速率最高可达20MHz，支持灵活的外部时钟输入配置。通过外部数字滤波器（如Sinc滤波器）处理该比特流，可重构出高分辨率的数字信号（等效于16位甚至更高精度ADC），从而实现高精度电流或电压检测。TND303S具备优异的线性度和低失调特性，非线性误差仅为±0.1%FSR，零点误差控制在±1mV以内，确保了在全温范围内测量结果的一致性和准确性。
　　为了适应不同应用场景的需求，TND303S支持3.3V和5V双电源供电，兼容多种逻辑电平系统，增强了系统的互操作性。其内置的片上振荡器减少了对外部时钟源的依赖，简化了外围电路设计。此外，器件具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值超过15kV/μs，能够在快速变化的共模电压下保持信号完整性，避免误码或数据丢失。SOIC-8宽体封装不仅提供了足够的爬电距离和电气间隙，还便于自动化贴装，适合大规模生产。TND303S还具备良好的温度稳定性，在-40°C至+125°C的工作温度范围内性能波动小，适用于恶劣工业环境下的长期运行。

TND303S广泛应用于需要高精度模拟信号隔离采集的工业电子系统中。在电机驱动与伺服控制系统中，常用于三相逆变器的相电流检测，将高压侧的电流采样信号以数字比特流形式传输至低压侧控制器（如DSP或MCU），实现精确的磁场定向控制（FOC）或矢量控制，提升电机效率与动态响应。在开关电源与UPS系统中，TND303S可用于输出电流监控、电池充放电管理以及过流保护，确保电源系统的稳定与安全。在光伏逆变器和储能系统中，该芯片可用于直流母线电流检测，配合MPPT算法优化能量转换效率。
　　在工业PLC（可编程逻辑控制器）和远程I/O模块中，TND303S作为模拟输入前端，实现传感器信号的隔离调理，防止现场干扰影响中央控制单元。其高CMTI和强抗噪能力使其适用于变频器、工业机器人、电动汽车车载充电机（OBC）和DC-DC转换器等复杂电磁环境下的电流监测任务。此外，在医疗设备、测试测量仪器和智能电表中，TND303S也可用于高精度、低漂移的信号隔离传输，保障数据采集的可靠性与安全性。由于其小型化封装和低功耗特性，特别适合空间受限且对散热敏感的应用场合。

BMR303S
　　AMC1301
　　Si8920
　　AD7403