型号：TND027
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：27 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：108 A
　　导通电阻（RDS(on)）：27 mΩ
　　阈值电压（Vth）：约2.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值3600 pF
　　输出电容（Coss）：典型值490 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　热阻结到外壳（RthJC）：约1.5 K/W

TND027的核心特性之一是其基于氮化镓材料的增强型HEMT（高电子迁移率晶体管）结构，这种结构使得器件能够在更低的导通损耗下实现更快的开关速度。相比传统的硅MOSFET，TND027的开关损耗可降低高达80%，这主要得益于其几乎为零的反向恢复电荷（Qrr）和极低的输出电容（Coss）。这意味着在高频DC-DC转换器或AC-DC电源中，TND027可以显著提高整体能效，同时减少散热需求。其27 mΩ的低导通电阻确保了在大电流条件下仍能保持较低的传导损耗，适用于高功率密度的设计场景。
　　另一个关键特性是其出色的动态性能表现。TND027具有非常快的上升时间和下降时间，通常在几纳秒量级，这使其非常适合用于MHz级别的开关频率操作。在高频应用中，传统硅器件往往受限于开关损耗和电磁干扰问题，而TND027凭借其低寄生电感和电容，有效抑制了电压过冲和振铃现象，提升了系统的EMI性能。此外，该器件对栅极驱动电压的要求较为敏感，推荐使用精确控制的+5V逻辑电平驱动信号，避免超过±20V的绝对最大额定值，以防损坏栅氧化层。
　　TND027还具备良好的热稳定性和长期可靠性。其PowerFLAT 5x6封装不仅提供了优异的散热路径，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产。封装底部设有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量快速传导至内层或底层，进一步优化热管理。器件内部经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极应力（HTGS）和功率循环试验，确保在严苛工作环境下仍能维持稳定的电气性能。此外，TND027符合RoHS和REACH环保标准，不含铅和有害物质，适用于工业级和通信类产品的绿色制造要求。

TND027广泛应用于需要高效率、高功率密度和高频工作的电源系统中。一个典型的应用是在数据中心服务器电源中作为同步整流器或主开关器件，用于48V至1V的中间总线转换器（IBC），在此类应用中，TND027的低RDS(on)和快速开关能力有助于实现高于95%的转换效率，并缩小整体电源模块体积。此外，在无线充电发射端电路中，TND027可用于构建高频逆变器，驱动发射线圈产生交变磁场，其快速响应特性可支持更高功率等级的无线能量传输，适用于智能手机、可穿戴设备和电动汽车的无线充电系统。
　　在激光二极管驱动器和脉冲功率系统中，TND027因其极短的开关时间和低延迟特性，常被用于构建高速斩波电路或Q开关驱动器，能够精确控制激光脉冲的宽度和重复频率，满足工业加工、医疗美容和测距等高精度应用的需求。在射频功率放大器的包络跟踪（Envelope Tracking）电源架构中，TND027可用作高速调制开关，实时调整供电电压以匹配射频信号包络，从而大幅提升PA的能效并降低功耗。
　　此外，TND027也适用于太阳能微逆变器和储能系统的DC-DC升压/降压转换级。在这些分布式能源系统中，高效率的能量转换至关重要，TND027的低损耗特性有助于最大化太阳能板的能量利用率。其小型化封装也有利于在空间受限的户外环境中集成更多功能。最后，在高端LED照明驱动、电信电源模块和便携式医疗设备中，TND027同样展现出优异的性能潜力，特别是在追求轻量化、小型化和高效化的现代电子产品设计中，成为替代传统MOSFET的理想选择。

EPC2045
　　GSC065-10N