电容值：4.7μF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V
　　封装尺寸：0805
　　温度系数：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　介质材料：陶瓷

TNCP0J475MTRF是一款基于X5R陶瓷介质的多层陶瓷电容器，具有良好的温度稳定性和较小的尺寸。其电容值为4.7μF，容差为±20%，适合用于对精度要求不十分严格的场景。该电容器的额定电压为6.3V，适合低电压应用，例如数字电路的电源去耦和信号滤波。
　　该器件采用0805封装（约2.0mm x 1.25mm），在空间受限的设计中仍能提供相对较高的电容值。X5R介质材料确保了其在-55°C至+85°C的工作温度范围内具有较好的电容稳定性，温度引起的电容变化通常控制在±15%以内。此外，TNCP0J475MTRF具备良好的频率响应特性，使其适用于高频滤波和去耦应用。
　　由于其陶瓷介质的特性，该电容器不会出现老化现象，同时具备较高的抗湿性和耐高温能力，适合用于需要长期稳定工作的工业和汽车电子系统。

TNCP0J475MTRF主要应用于需要中等电容值和紧凑尺寸的电子电路中。常见的应用包括数字IC的电源去耦、DC-DC转换器的输入/输出滤波、便携式设备的电源管理电路以及各种信号处理电路中的滤波器。
　　在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，TNCP0J475MTRF常用于电源管理单元（PMU）周围的去耦电容，以确保电源的稳定性并减少高频噪声的影响。在工业控制系统中，该电容器可用于PLC、传感器模块和工业通信设备中的电源滤波和信号调理电路。
　　此外，TNCP0J475MTRF也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）、驾驶辅助系统（ADAS）和车载充电器（OBC）。在这些应用中，其温度稳定性和可靠性使其能够在恶劣的环境条件下正常工作。

GRM21BR60J475KE19L, C1608X5R0J475K090AC, CL21B475KOQNNNE