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TN2404K-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/19 18:58:13 查看 阅读:1

TN2404K-T1-GE3 是一款基于硅工艺制造的高频晶体管,广泛应用于射频 (RF) 和无线通信领域。该型号属于 NPN 型双极性晶体管,具有高增益、低噪声和出色的线性度特性。其设计优化了在高频信号放大和开关应用中的性能。

参数

集电极-发射极电压:40V
  集电极电流:400mA
  直流电流增益 (hFE):150 至 300
  最大频率 (fT):1GHz
  噪声系数:1dB
  功耗:400mW

特性

TN2404K-T1-GE3 拥有优异的高频性能,适用于需要高增益和低噪声的应用场景。
  1. 高频响应:其最大振荡频率高达 1GHz,非常适合用于射频电路和高频放大器。
  2. 低噪声性能:1dB 的噪声系数确保其在信号链中引入的干扰最小化。
  3. 稳定的工作范围:在较宽的工作温度范围内 (-55°C 至 +150°C),该晶体管保持稳定的电气性能。
  4. 小封装设计:采用紧凑型 TO-252 封装,便于安装在空间有限的电路板上。
  5. 高可靠性:经过严格的筛选和测试流程,保证长时间使用下的稳定性和可靠性。

应用

TN2404K-T1-GE3 广泛应用于以下领域:
  1. 射频信号放大:在无线通信系统中作为功率放大器的核心元件。
  2. 调制解调器:用于信号的调制与解调处理。
  3. 高速开关电路:如数据转换器或逻辑门驱动。
  4. 工业控制设备:用于高频传感器信号的采集与处理。
  5. 医疗电子:如超声波设备中的高频信号传输与放大。

替代型号

TN2404K-T1-GA2
  TN2404K-T1-GB5
  BCY98

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TN2404K-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)240V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 欧姆 @ 300mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大360mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)