时间：2025/7/25 20:46:03
阅读：7
TN0110N3-G是一款由台湾半导体公司Tenx生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用而设计，适用于如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等场合。TN0110N3-G采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力，适用于各种工业和消费类电子产品。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A（在Tc=25℃）
功耗（Pd）：200W
导通电阻（Rds(on)）：最大值为5.5mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-247
TN0110N3-G具备多项优良的电气和热性能特性，适合高功率密度和高效率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽式结构技术，提供了更高的电流处理能力和更低的开关损耗，从而在高频开关应用中表现出色。
该器件具有较高的热稳定性和良好的热阻特性，确保在高功率操作时的可靠性和长寿命。其最大漏极电流能力高达110A，并且在高温下仍能保持良好的性能。此外，TN0110N3-G还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行，防止器件损坏。
该MOSFET的封装形式为TO-247，提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率应用环境。TO-247封装还便于安装和散热片连接，有助于进一步提升器件的热管理能力。此外，TN0110N3-G的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其适用于多种驱动电路设计，并提高了系统的灵活性和兼容性。
TN0110N3-G广泛应用于各种高功率和高效能电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它被用作主开关器件，用于提高电源转换效率并减小电源体积。在DC-DC转换器中，TN0110N3-G用于实现高效率的电压转换，常见于服务器电源、通信设备和工业控制系统中。
此外，该MOSFET也适用于负载开关和电池管理系统，例如在电动工具、电动车和储能系统中作为高电流开关使用。由于其优异的热稳定性和高电流处理能力，TN0110N3-G还可用于电机控制、逆变器和UPS（不间断电源）系统中，提供可靠的功率控制和保护功能。
在消费类电子产品中，TN0110N3-G也可用于高功率LED照明、电源适配器和充电器设计中，满足高效率和小型化的需求。其高可靠性和良好的热管理能力使其成为工业自动化设备、自动化测试设备（ATE）和电源模块的理想选择。
IRFP4468PbF, IPP110N10N3G, FDP110N10
