时间：2025/8/4 1:14:34
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TMV1503SHI是一款由东芝（Toshiba）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管，采用先进的工艺制造，具备高可靠性和低导通电阻的特点。该器件主要设计用于高频率开关应用和高效能电源管理领域，如DC-DC转换器、负载开关、马达控制等。其封装形式为SOP（小型外表面贴装封装），非常适合在空间受限的电路设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：1.5A
导通电阻（RDS(ON)）：0.25Ω（最大值，@VGS=10V）
功耗（PD）：1.25W
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
TMV1503SHI的低导通电阻使其在导通状态下能够减少功率损耗，从而提高系统的整体效率。该MOSFET的栅极绝缘层设计能够承受高达±20V的栅源电压，确保了在高电压环境下的稳定性和可靠性。此外，其小型化SOP封装不仅节省空间，还简化了PCB（印刷电路板）的布局设计。
该器件采用了高热稳定性材料，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。其封装材料符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于环保要求较高的电子产品设计。在动态开关性能方面，TMV1503SHI具有较低的输入电容（CISS）和较小的反向传输电容（CRSS），从而降低了开关损耗并提高了高频响应能力。
此外，TMV1503SHI的制造工艺确保了其具有优异的抗静电能力（ESD），在装配和使用过程中不易受到静电损害。该器件还具备较高的短路耐受能力，能够在突发短路情况下提供一定的保护作用。
TMV1503SHI广泛应用于各种电源管理模块，如DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关电路以及便携式电子设备中的功率控制单元。在通信设备中，该MOSFET可作为信号开关或电源调节器件使用，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。此外，其高频开关特性使其非常适合用于马达驱动电路和LED照明调光系统中。
在工业自动化和控制系统中，TMV1503SHI可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的输出驱动电路，提供可靠的开关控制功能。由于其优异的温度稳定性，该器件也常用于需要长时间运行的嵌入式系统和工业计算机中。同时，其低导通电阻和高效率的特性也使其成为智能电表和电源监控设备中的理想选择。
Si2302DS, AO3400A, IRF7404, FDS6675
