类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：320A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大11.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55℃至175℃

TMT30115C MOSFET采用了东芝先进的沟槽式功率MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。其最大Rds(on)为11.5mΩ，在Vgs=10V条件下可实现高效的电流传输，适用于高电流负载的应用场景。
　　此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提升了系统的可靠性。TMT30115C的封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的热管理性能，有助于快速散热，从而在高功率密度设计中保持较低的工作温度。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路设计，并具备良好的抗干扰能力。其高电流处理能力（连续漏极电流可达80A）使其适用于需要高功率输出的电源系统，例如服务器电源、工业电源、DC-DC转换器、电机控制模块等。
　　另外，该器件的开关特性优异，具有较低的开关损耗，从而进一步提升了整体系统的效率。TMT30115C在设计上兼顾了导通损耗和开关损耗的平衡，是高性能电源转换系统中的理想选择。

TMT30115C广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中，包括但不限于以下领域：服务器和通信设备的电源系统、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动工具和无人机的动力控制模块、负载开关电路以及高效率的AC-DC电源适配器等。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高功率密度设计中的理想选择。

SiHF60N100D、TKA100N10K、IRF3205、TNT20N10