TMT30112C 时间：2025/8/15 23:17:21 阅读：27

TMT30112C 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET器件，广泛用于电源管理和功率转换应用。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效率开关的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A（在Tc=25°C时）
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约4.5mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-263（D2Pak）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

TMT30112C 的核心特性在于其低导通电阻和高电流承载能力，这使其在高效率电源转换系统中表现优异。该器件采用了东芝先进的U-MOS技术，能够实现更低的导通损耗和开关损耗。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和耐久性，适用于高温工作环境。
　　该型号还具有较高的栅极绝缘性能，支持更宽的栅极驱动电压范围，增强了其在各种驱动电路中的兼容性。同时，TMT30112C 的封装设计有助于提高散热效率，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　由于其优异的电气特性和可靠性，TMT30112C 适用于多种工业和消费类电子应用，包括服务器电源、电动工具、电动汽车辅助系统、电池管理系统以及工业自动化设备等。

应用

TMT30112C 主要应用于需要高效率和高电流承载能力的电力电子系统。典型应用包括但不限于：
　　1. 同步整流DC-DC转换器
　　2. 电机驱动和控制电路
　　3. 电池管理系统（BMS）
　　4. 电动工具和电动自行车控制器
　　5. 高功率LED驱动器
　　6. 服务器和通信设备电源
　　7. UPS（不间断电源）系统
　　其低导通电阻和高可靠性的特点，使其特别适合在对效率和散热要求较高的场合中使用。