TMT30112 时间：2025/8/4 4:20:34 阅读：19

TMT30112是一款高性能的双通道N沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理和功率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体系统效率。TMT30112通常用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和电机控制等应用。其封装形式为DFN5x6或类似的小型封装，适合高密度PCB布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：12A（单通道）
　　导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ（最大值）
　　功耗(Pd)：3.6W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：DFN5x6

特性

TMT30112采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在低电压应用中表现出色。该器件的导通电阻非常低，仅为8.5mΩ，这有助于降低导通损耗，提高能效。此外，该MOSFET具有高电流承载能力，每个通道可支持高达12A的连续漏极电流，适合用于高功率密度设计。
　　该器件的封装形式为DFN5x6，体积小巧，便于在紧凑的电路板上布局，同时具备良好的热性能，能够有效地将热量传导至PCB。TMT30112还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，确保在严苛的工作环境下稳定运行。
　　由于其双通道设计，TMT30112可以在多个功率管理电路中实现并联使用，进一步提升系统的可靠性和效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的3.3V至12V驱动电路，适用于多种控制器和驱动器的搭配使用。

应用

TMT30112广泛应用于各种电源管理和功率控制电路中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器和工业自动化设备。由于其高效率和小型封装的特点，该器件特别适合用于需要高功率密度和高效能的便携式设备和嵌入式系统中。
　　在DC-DC转换器中，TMT30112可以作为主开关器件，提供高效的能量转换，减少发热并延长设备的使用寿命。在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。在负载开关应用中，TMT30112的低导通电阻特性可以减少电压降，提高系统稳定性。