类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：15A
　　漏源极击穿电压（Vds）：100V
　　栅源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约8.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

TMT15115C具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻能够减少导通损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET的高电流处理能力（15A）使其适用于高负载电路。此外，TMT15115C采用TO-252封装，具备良好的散热性能，适合高密度PCB设计。该器件还具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提高系统可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路，进一步提升了设计的灵活性。在高频开关应用中，TMT15115C的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，该器件还具备较强的抗过载和短路能力，有助于提升系统的安全性与稳定性。

TMT15115C广泛应用于多种高功率电子设备中，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于高效能的AC-DC和DC-DC转换器。
　　2. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车和储能系统中的充放电控制。
　　3. 电机驱动器：用于直流电机和步进电机的功率控制。
　　4. 工业自动化设备：用于PLC、变频器和伺服控制系统。
　　5. 太阳能逆变器：用于光伏系统中的能量转换。
　　6. LED照明驱动器：用于大功率LED灯具的恒流控制。
　　7. 服务器和通信设备电源：用于高可靠性电源供应模块。

IRF150, FDP15N10, STP15NF10, FQP15N10L