TMS29F256250JL 时间：2025/12/24 16:26:12 阅读：14

TMS29F256250JL是一款由德州仪器（Texas Instruments）生产的高性能静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款芯片属于高速、低功耗的SRAM产品线，专为需要快速数据访问和稳定存储性能的应用设计。该器件通常用于嵌入式系统、网络设备、通信设备和工业控制系统等对速度和可靠性要求较高的场合。

参数

容量：256K位（32K x 8）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：250ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　引脚数量：52
　　数据宽度：8位
　　封装尺寸：12mm x 20mm
　　封装代码：JL
　　封装材料：塑料

特性

TMS29F256250JL具有多个显著的技术特性。首先，其高速访问时间（250ns）使得该芯片适用于对响应速度有严格要求的应用场景。此外，它的工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），提供了较好的灵活性和适应性，能够在不同的电源条件下稳定工作。
　　该芯片的低功耗特性使其在电池供电或节能型系统中表现出色。在待机模式下，电流消耗极低，有助于延长设备的电池寿命并减少系统散热需求。
　　封装方面，TMS29F256250JL采用TSOP封装，具有较小的封装尺寸和较高的封装密度，适合在空间受限的设计中使用。此外，其支持-40°C至+85°C的宽工作温度范围，适用于工业级环境下的稳定运行。
　　该SRAM芯片还具备非易失性特性，即在断电情况下能够保持数据完整性，适用于需要频繁读写和数据缓存的应用。