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TMS28F200BZ 发布时间 时间:2025/7/28 14:23:02 查看 阅读:15

TMS28F200BZ 是由 Texas Instruments(德州仪器)推出的一款闪存(Flash Memory)芯片,属于其 TMS28F 系列的高性能闪存解决方案之一。该芯片主要用于嵌入式系统中,提供非易失性存储功能,适用于需要高可靠性和快速读写性能的应用场景。TMS28F200BZ 的主要特点包括大容量存储、低功耗设计以及支持多种操作电压。该芯片封装为 56 引脚 SSOP,适用于各种工业控制、汽车电子和通信设备。

参数

容量: 256 K x 8/16-bit
  电压范围: 2.7V - 3.6V
  读取时间: 55ns
  封装类型: 56-SSOP
  工作温度: -40°C 至 +85°C
  接口类型: 并行接口
  擦除/写入周期: 100,000 次

特性

TMS28F200BZ 采用先进的闪存技术,具备出色的存储性能和稳定性。其最大容量为 256KB,支持 8 位或 16 位数据宽度,使其适用于多种嵌入式系统的存储需求。芯片支持快速的读取访问时间(55ns),能够满足实时系统对数据处理速度的要求。
  TMS28F200BZ 的工作电压范围为 2.7V 至 3.6V,这使其在低电压环境中依然能够保持稳定的工作性能,同时降低整体功耗。此外,该芯片支持高达 100,000 次的擦写周期,确保了其在长期使用中的可靠性和耐用性。
  该芯片还支持多种操作模式,包括读取、写入、擦除和编程模式,用户可以根据具体需求进行灵活配置。TMS28F200BZ 还具备硬件数据保护功能,防止意外擦除或写入,确保数据的完整性。
  封装方面,TMS28F200BZ 采用 56 引脚 SSOP 封装形式,适用于表面贴装工艺,便于集成到各种电路板设计中。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于工业级和汽车级应用环境。

应用

TMS28F200BZ 主要应用于需要高性能非易失性存储的嵌入式系统中,如工业控制设备、汽车电子系统、通信设备、消费类电子产品以及数据采集系统等。由于其具备较高的擦写寿命和稳定的性能,TMS28F200BZ 特别适合用于固件存储、程序代码存储以及关键数据的长期保存。
  在汽车电子系统中,TMS28F200BZ 可用于发动机控制单元(ECU)、车载娱乐系统、导航系统以及车身控制模块等。在工业自动化领域,该芯片可用于 PLC(可编程逻辑控制器)、工业机器人和传感器设备中,提供可靠的程序存储和数据记录功能。
  此外,TMS28F200BZ 还可应用于网络设备、打印机、医疗设备和智能电表等产品中,满足不同行业对高性能存储芯片的需求。

替代型号

AM29F002BB, M28F200B3B4B6

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