容量：128Kbit (16K x 8)
　　组织结构：16K x 8
　　电源电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间（最大）：55ns（TMS25115-55）、70ns（TMS25115-70）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装类型：28引脚 DIP、28引脚 SOIC
　　功耗：典型待机电流 10μA，最大工作电流 160mA
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容

TMS25115 以其高性能和低功耗设计在SRAM芯片中占据一席之地。
　　首先，TMS25115 采用CMOS技术，这不仅保证了其在高频访问时的稳定性，还大幅降低了功耗。在待机模式下，其电流消耗可低至10μA，非常适合对功耗敏感的应用场景。同时，该芯片在全速运行时的最大电流为160mA，仍然保持在一个相对较低的水平，有利于系统的热管理和能效优化。
　　其次，TMS25115 的访问时间非常短，分为55ns和70ns两种版本，分别对应TMS25115-55和TMS25115-70型号。这种高速访问能力使其适用于需要快速数据存取的应用，如高速缓存、实时控制系统等。
　　此外，TMS25115 提供了多种封装选项，包括28引脚DIP和SOIC，方便用户根据实际PCB设计需求进行选择。其宽广的工作温度范围（-40°C 至 +85°C）也使其能够在工业级环境中稳定运行，适应各种严苛的使用条件。
　　最后，TMS25115 的输入/输出引脚兼容TTL逻辑电平，简化了与其他数字电路的连接和集成，降低了系统设计的复杂性。

TMS25115 由于其低功耗、高速度和工业级工作温度范围，被广泛应用于多个领域。
　　在嵌入式系统中，TMS25115 常用于作为微控制器或微处理器的外部高速缓存，提升系统的数据处理效率。由于其低功耗特性，该芯片也常用于电池供电设备，如便携式仪器和远程监测设备。
　　在工业控制领域，TMS25115 可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的数据存储，确保在断电情况下数据的完整性。此外，它还可用于数据采集系统中，作为临时数据存储缓冲区，提高系统的实时响应能力。
　　在通信设备中，TMS25115 可用于缓存数据包或协议转换过程中的中间数据，保障通信过程的流畅性和稳定性。
　　此外，TMS25115 也常见于测试设备和测量仪器中，用于存储测试数据或程序代码，满足设备在不同环境下的运行需求。

IS61C256AL-55TCI, CY62148E-45ZSXI, IDT71V124SA-553, AS7C31026-55JC, TMS25C115