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TMS 25215C 发布时间 时间:2025/8/4 0:31:51 查看 阅读:9

TMS25215C是一款由Texas Instruments(德州仪器)设计制造的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于高速存储器系列,适用于需要快速数据访问的场景。这款芯片采用先进的CMOS技术制造,具备高速读写能力、低功耗和高可靠性等特点。TMS25215C的存储容量为16K x 4位,工作电压为5V,常用于工业控制、通信设备和嵌入式系统中作为高速缓存或临时数据存储。

参数

容量:16K x 4位
  电压:5V ± 10%
  访问时间:12ns / 15ns / 20ns(根据不同版本)
  封装类型:28引脚SSOP、28引脚SOIC
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据保持电压:2V(最低)
  最大工作电流:约150mA(典型值)
  输入/输出电平:TTL兼容

特性

TMS25215C SRAM芯片具有多项显著的性能特点。首先,其高速访问时间(最快可达12ns)使其适用于需要快速数据读写的系统,例如高速缓存和实时数据处理模块。其次,该芯片采用CMOS技术,不仅功耗较低,而且在待机模式下功耗进一步降低,有助于延长设备的使用寿命和提高能效。
  此外,TMS25215C具有良好的数据保持能力,在掉电情况下,只要电源电压不低于2V,存储的数据仍然可以保持一段时间,这使得它在需要断电保护数据的应用中表现良好。芯片的TTL兼容输入/输出接口确保了与其他数字系统的良好兼容性,简化了系统集成的复杂性。
  该芯片还具备高可靠性和抗干扰能力,能够在工业环境下的宽温度范围内稳定工作(-40°C至+85°C),适用于各种严苛环境下的应用,如工业自动化控制、通信基站和嵌入式设备。

应用

TMS25215C广泛应用于需要高速存储的系统中,如通信设备中的数据缓存、嵌入式系统的临时存储、工业控制器的运行内存、图像处理模块的帧缓存等。此外,它也适用于需要低功耗、高稳定性的便携式设备,如测试仪器、医疗设备和智能仪表。由于其高速读写能力,TMS25215C也常用于网络设备和高速数据采集系统中,作为快速存储和缓冲数据的理想选择。

替代型号

TMS25C215DJGE、TMS25C215DLR、CY62167EVLL-45L、IDT71V016S、AS6C6216-55PCN

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TMS 25215C产品

TMS 25215C参数

  • 宽度51mm
  • 封装类型封闭
  • 平均故障间隔时间250000h
  • 效能78%
  • 最低温度-25°C
  • 最高温度+60°C
  • 深度29.5mm
  • 纹波和噪声100mV Pk-Pk
  • 线路调节±0.4%
  • 负载调节±5%
  • 输入电压110 → 375 V dc, 85 → 264 V ac
  • 输出数目2
  • 输出电压±15V 直流
  • 输出电流800mA
  • 重量165g
  • 长度96mm
  • 额定功率25W