TMS25112C 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款存储器芯片,属于其TMS25系列的一部分。这款芯片是一种静态随机存取存储器(SRAM),主要用于需要高速数据存取的应用中。SRAM相比于动态RAM(DRAM)不需要周期性刷新,因此在需要快速访问和低延迟的系统中更为适用。TMS25112C 提供了可靠的性能和广泛的工作温度范围,使其适用于工业和通信设备等领域。
类型: SRAM(静态随机存取存储器)
容量: 128K x 8
电压范围: 4.5V 至 5.5V
工作温度范围: 0°C 至 70°C
封装类型: 52引脚TSOP
访问时间: 10ns
数据保持时间: 自动低功耗模式下可保持数据
功耗: 典型工作电流约10mA(待机模式下更低)
接口类型: 并行接口
TMS25112C SRAM芯片具有多个显著的特性,使其在各种应用中表现优异。首先,其高速访问时间(10ns)确保了数据可以在极短的时间内被读取或写入,适合需要快速处理的应用。此外,该芯片支持自动低功耗模式,在没有访问操作时可以自动进入低功耗状态,从而显著降低功耗并延长设备的电池寿命。TMS25112C 还具备宽电压工作范围(4.5V至5.5V),使其能够在不同电源条件下稳定运行,增强了其适应性。此外,其52引脚TSOP封装提供了紧凑的设计,适合空间受限的应用,同时确保了良好的热管理和电气性能。该芯片在工业温度范围(0°C至70°C)内运行,保证了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。最后,由于其并行接口设计,TMS25112C可以轻松与多种微处理器和控制器连接,简化了系统集成过程。
TMS25112C 主要用于对速度和低功耗有较高要求的嵌入式系统和工业设备。其高速存取特性使其非常适合用作高速缓存、数据缓冲器或临时存储器,特别是在需要频繁读写操作的应用中。常见的应用包括工业自动化设备、网络通信设备、测试测量仪器以及便携式电子产品。此外,由于其稳定的性能和宽温度范围,TMS25112C 也广泛应用于恶劣环境下的控制系统,如交通运输设备和能源管理系统。
TMS25112C-10E