TMRG04QH 时间：2025/8/6 19:16:43 阅读：23

TMRG04QH 是由东芝（Toshiba）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，以实现低导通电阻和优异的开关性能。TMRG04QH 通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及各种高效率电源系统中。该MOSFET采用4引脚封装（如SOP或DFN封装），以优化热管理和电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：480A
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：4引脚SOP/DFN

特性

TMRG04QH 的核心优势在于其出色的导通和开关性能。该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），通常低于1.2毫欧，从而降低了导通损耗并提高了整体效率。此外，TMRG04QH 采用了先进的沟槽栅极结构，优化了电荷特性和开关速度，使其在高频应用中表现出色。器件的封装设计具有良好的散热能力，能够有效降低热阻，提高功率处理能力。
　　该MOSFET的栅极驱动特性也经过优化，能够在较低的栅极电压下实现完全导通，从而降低驱动电路的复杂性和功耗。TMRG04QH 还具备较强的短路耐受能力，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车应用。
　　在电气性能方面，TMRG04QH 提供了较低的漏极-源极导通压降（VDS(on)）和栅极电荷（Qg），从而进一步提升了系统效率。此外，其高雪崩能量耐受能力确保了在瞬态过压条件下的稳定运行。

应用

TMRG04QH 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。其主要应用包括：电源管理系统中的DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电动车辆（EV）中的功率管理单元。TMRG04QH 的高可靠性和高效能特性也使其成为服务器电源、电信设备和消费类电子产品中功率转换部分的理想选择。