TMR3-1223是一种采用Tunnel Magneto Resistance(TMR)技术的磁阻传感器芯片,主要用于高精度的磁场检测和测量应用。该芯片具备优异的灵敏度和稳定性,适用于各种工业控制、汽车电子、消费电子和医疗设备领域。TMR3-1223采用小型化封装设计,便于集成在各种电路系统中,并具有低功耗的特点,非常适合需要高精度和低能耗的应用场景。
工作电压:2.7V - 5.5V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
输出类型:模拟电压输出
灵敏度:典型值为1.5 mV/V/Gauss
最大磁场测量范围:±1000 Gauss
静态输出电压:1.0V(典型值)
功耗:典型值为2.5mA
封装形式:8引脚SOP
TMR3-1223采用先进的隧道磁阻(TMR)技术,使其在磁场检测中具备极高的灵敏度和精度。该芯片内置惠斯通电桥结构,能够在不同磁场强度下提供稳定的模拟电压输出。其宽广的工作电压范围(2.7V至5.5V)使其兼容多种电源系统,适用于不同应用场景。此外,TMR3-1223具有优异的温度稳定性,能够在-40°C至+85°C的温度范围内保持稳定的工作性能。芯片的低功耗设计(典型值为2.5mA)使其非常适合电池供电设备和便携式应用。TMR3-1223还具有良好的抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中保持高精度的磁场测量。此外,其8引脚SOP封装设计不仅节省空间,还便于自动化生产和焊接,提高了系统的可靠性和可维护性。
TMR3-1223广泛应用于各种需要高精度磁场检测的场景。在工业自动化领域,它可用于电机控制、位置检测和磁性开关系统。在汽车电子中,该芯片可用于无钥匙进入系统、电动助力转向系统(EPS)以及车载导航的磁场校准功能。在消费电子领域,TMR3-1223适用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电子罗盘和磁场感应功能。在医疗设备方面,它可用于磁性传感器系统、便携式诊断设备和磁共振成像(MRI)辅助设备。此外,TMR3-1223还可用于安全系统、门禁控制系统和智能电表中的磁场监测模块。
TMR3-1221, TMR3-1323, TMR3-1213, TMR3-1123, TMR3-1224