工作电压：1.7 V ~ 3.6 V
　　输出类型：模拟电压输出
　　灵敏度：典型值 20 mV/V/kA/m
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装类型：TDFN-4
　　最大工作电流：约 100 μA
　　响应时间：小于 1 μs
　　磁滞：小于 1 μT
　　非线性误差：小于 0.1%
　　输出偏移电压：±0.5 mV/V

TMR 9-2421WI 采用先进的隧道磁阻技术，具备极高的磁场灵敏度和稳定性，能够在低功耗下实现高精度的磁场检测。其核心结构由磁性隧道结 (MTJ) 构成，具有极低的温度漂移和优异的长期稳定性。
　　该芯片内置温度补偿电路，确保在宽温度范围内仍能保持一致的性能表现。此外，其小型化封装设计使得该传感器非常适合在空间受限的应用中使用，如可穿戴设备和便携式测量仪器。
　　由于其模拟输出特性，TMR 9-2421WI 可以直接与外部 ADC 或放大器连接，适用于各种磁场测量和检测系统。其低功耗特性也使其非常适合用于电池供电设备和无线传感网络。
　　该芯片还具有较强的抗机械应力能力，能够在复杂的物理环境下保持稳定的工作性能，适用于工业现场和汽车电子系统。

TMR 9-2421WI 主要用于需要高精度磁场检测的应用场景。典型应用包括无接触式位置检测、旋转编码器、电流传感器、磁场强度测量仪、无损检测设备、医疗磁导航系统、智能电表、安防系统以及工业自动化中的接近开关等。
　　在汽车电子领域，该芯片可用于方向盘角度检测、油门踏板位置感应、刹车踏板状态监测等场景。在消费类电子产品中，它可应用于智能手环、智能手表中的磁场感应模块，实现手势识别或设备状态检测。
　　此外，TMR 9-2421WI 还广泛用于智能电表中的电流检测模块，通过检测导线周围的磁场变化来实现非接触式电流测量，提高测量精度并增强安全性。

TMR 9-2421WI 的替代型号包括 TMR 9-2421 和 TMR 9-2422WI，这些型号在封装和性能上略有差异，可根据具体应用需求进行选择。