TMPF4N60G 时间：2025/8/14 0:23:05 阅读：17

TMPF4N60G是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用中。该器件具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于高效率、高稳定性的电源系统设计。TMPF4N60G采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能和稳定性，广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及马达驱动电路等场景。

参数

类型: N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds): 600V
　　最大栅源电压(Vgs): ±20V
　　最大连续漏极电流(Id): 4A
　　导通电阻(Rds(on)): 最大1.5Ω
　　工作温度范围: -55°C至150°C
　　封装形式: TO-220
　　功率耗散(Pd): 50W

特性

TMPF4N60G具备较高的耐压能力，最大漏源电压可达600V，使其适用于高电压应用环境。该器件的导通电阻较低，最大仅为1.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，TMPF4N60G的最大连续漏极电流为4A，能够满足中等功率应用的需求。
　　其栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力，并确保器件在正常工作范围内稳定运行。该MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，能够在高功率条件下保持较低的温度升幅，从而提升器件的可靠性和寿命。
　　在工作温度方面，TMPF4N60G支持-55°C至150°C的宽温范围，适应多种工作环境。最大功率耗散为50W，进一步保证了其在高负载条件下的稳定运行。这些特性使TMPF4N60G成为一款适用于多种电源管理和功率转换应用的高性能MOSFET。

应用

TMPF4N60G广泛应用于各类电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器以及逆变器等。由于其高耐压、低导通电阻和良好的散热性能，该器件特别适合用于需要高效率和高稳定性的电源转换系统。
　　在工业控制领域，TMPF4N60G可用于马达驱动电路、变频器以及工业自动化设备中的功率开关电路。此外，在消费类电子产品中，如LED照明驱动、电源管理模块以及电池充电系统中，TMPF4N60G也具备良好的应用表现。
　　新能源领域如太阳能逆变器、风能控制系统以及储能电源系统中，该MOSFET也能发挥出色的性能。其宽工作温度范围和高可靠性使其适用于各种严苛环境下的功率控制任务。