TMPF12N60G 时间：2025/12/26 20:15:30 阅读：9

TMPF12N60G是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率电力电子系统中。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，适用于高频开关操作。其额定电压为600V，最大连续漏极电流可达12A（在25°C下），能够承受较高的瞬态电压和电流冲击，适合用于工业控制、消费类电源及照明设备等多种应用场景。封装形式为TO-220F，具有良好的热稳定性和机械强度，便于安装在散热片上以提高散热效率。TMPF12N60G符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。该MOSFET在设计时充分考虑了雪崩能量耐受能力，增强了在异常工作条件下的可靠性，例如负载突变或短路情况下的自我保护能力。
　　此外，TMPF12N60G具备较低的输入电容和输出电容，有助于减少高频开关过程中的驱动损耗和电磁干扰（EMI）。其阈值电压典型值约为3V至5V，确保在标准逻辑电平信号驱动下可靠开启。器件内部结构优化了电场分布，提升了击穿电压稳定性，并通过严格的生产测试流程保证批次一致性。在实际应用中，常被用于反激式变换器（Flyback Converter）、有源功率因数校正电路（PFC）以及LED恒流驱动电源中，作为主开关管使用。得益于其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能，TMPF12N60G成为中小功率电源设计中的优选器件之一。

参数

型号：TMPF12N60G
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：12A
　　脉冲漏极电流（Idm）：48A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）@Max：0.75Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）@Typ：0.65Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vth）：3V ~ 5V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：380pF @ Vds=25V
　　反向传输电容（Crss）：100pF @ Vds=25V
　　总栅极电荷（Qg）：60nC @ Vgs=10V
　　上升时间（tr）：60ns
　　下降时间（tf）：30ns
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-220F
　　极性：N-Channel

特性

TMPF12N60G具备出色的电气性能和热稳定性，是专为高效率开关电源设计而优化的功率MOSFET。其最大漏源电压高达600V，能够适应宽范围输入电压的应用环境，如通用交流输入（85VAC~265VAC）下的反激变换器设计。器件的导通电阻在室温条件下典型值仅为0.65Ω，在Vgs=10V时可实现低功耗导通，显著降低导通期间的能量损耗，提升整体系统效率。这种低Rds(on)特性还减少了发热，降低了对散热系统的依赖，从而有助于缩小电源体积并降低成本。
　　该MOSFET采用了东芝独有的平面栅技术，有效控制了寄生参数的影响，使器件在高频开关过程中表现出优异的动态响应能力。其输入电容（Ciss）为1100pF，输出电容（Coss）为380pF，配合较低的反向传输电容（Crss=100pF），大幅减小了米勒效应带来的误导通风险，提高了在高速开关应用中的稳定性。同时，总栅极电荷Qg仅为60nC，意味着驱动电路所需提供的能量较少，有利于采用低功耗驱动IC进行控制，进一步优化整个系统的能效表现。
　　在安全性和可靠性方面，TMPF12N60G经过严格的设计验证，具备较强的雪崩耐量能力，能够在突发过压或负载突变情况下维持正常工作而不发生永久性损坏。其最大结温可达+150°C，支持高温环境下长期运行，适用于工业级应用场景。TO-220F封装不仅提供了良好的电气隔离性能（因带有绝缘底板），还便于安装到散热器上，实现高效的热量传导与散发，确保器件在大功率持续工作时仍保持稳定的温度水平。此外，该器件符合RoHS指令要求，适用于绿色电子产品制造。

应用

TMPF12N60G主要应用于各类中低功率开关电源系统中，特别是在需要高耐压和高效能转换的场合。常见应用包括通用交流输入的反激式开关电源（Flyback SMPS），用于家电、办公设备和适配器产品中，作为主开关管承担能量传递与电压调节功能。此外，它也广泛用于有源功率因数校正电路（Active PFC），帮助提升电网侧的功率因数，减少谐波污染，满足IEC 61000-3-2等国际能效标准要求。
　　在LED照明驱动电源领域，TMPF12N60G可用于构建恒流输出的隔离型或非隔离型拓扑结构，提供稳定可靠的电源解决方案，尤其适用于高亮度LED灯具和户外照明系统。其快速开关特性和低导通损耗有助于实现高光效和长寿命设计目标。
　　除此之外，该器件还可用于小型电机驱动电路、逆变电源、不间断电源（UPS）模块以及太阳能充电控制器等电力电子装置中。由于其具备良好的抗浪涌能力和温度稳定性，特别适合在电网波动较大或环境温度较高的地区使用。工业自动化设备中的电源模块、传感器供电单元以及PLC内部电源部分也是其典型应用方向。得益于TO-220F封装的绝缘特性，TMPF12N60G在无需额外绝缘垫片的情况下即可直接安装于接地散热片上，简化了装配流程并提升了系统安全性。