时间：2025/8/3 21:35:38
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TMM 40105C 是由东芝（Toshiba）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，专为高功率应用设计。该模块集成了多个MOSFET晶体管，具备高电流承载能力和低导通电阻特性，适用于工业电机控制、电动汽车、可再生能源系统等高功率电子设备。其封装形式通常为双列直插式（DIP）或表面贴装（SMD）封装，以适应不同的PCB布局需求。
类型：MOSFET模块
漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：200A
导通电阻（Rds(on)）：5mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：150nC
工作温度范围：-40°C至+175°C
封装类型：双列直插式（DIP）或表面贴装（SMD）
安装方式：通孔或表面贴装
TMM 40105C 具备优异的导通和开关性能，能够在高电流和高电压条件下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流下损耗最小化，从而提高了整体系统效率。此外，该模块采用先进的封装技术，提供了良好的热管理和绝缘性能，适用于高温环境下的长期运行。TMM 40105C 还具备较高的短路耐受能力，有助于在突发故障条件下保护电路安全。其内部结构优化设计减少了寄生电感，从而降低了开关过程中的电压尖峰，提高了系统的稳定性与可靠性。
TMM 40105C 常用于高功率电机驱动器、逆变器、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动车充电器以及太阳能逆变器等应用场合。该模块适用于需要高效、高可靠性和高功率密度的工业和汽车电子系统，能够满足现代电力电子设备对小型化、高性能和节能的需求。
TK65H078N1C1AG, SiC MOSFET模块（如Cree/CMD的C3M0060065J）
