时间：2025/8/3 22:20:55
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TML20215C是一款由东芝（Toshiba）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率和高频率应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于各种功率转换设备，如DC-DC转换器、电源管理系统和负载开关电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：1.5A
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(ON)）：150mΩ（典型值）
阈值电压（VGS(th)）：0.6V至1.5V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOT-23
TML20215C MOSFET具有低导通电阻的特性，这使得它在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件的栅极电荷较低，确保了快速的开关性能，适用于高频开关应用。
其采用的沟槽式结构不仅优化了导通性能，还提高了热稳定性，使得器件在高温环境下仍能可靠运行。TML20215C的封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在紧凑型电路设计中使用。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和稳定性，延长设备的使用寿命。
TML20215C广泛应用于小型电源管理系统、DC-DC转换器、电池供电设备以及负载开关电路中。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于便携式电子设备的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
此外，该器件还可用于驱动小型电机、LED照明控制以及各种低电压、低功率的开关电路中，为设计人员提供高效、稳定的功率控制解决方案。
TML20215C的替代型号包括TSM201N02CX和FDMS3610。这些型号在电气性能和封装形式上与TML20215C相似，可以在设计中作为替代选项使用。
