时间：2025/8/4 10:33:28
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TML 30512C 是一款由 Texas Memory Systems（现为 IBM 子公司）制造的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该器件结合了 SRAM 的高速读写特性和非易失性存储器的持久数据保存能力，能够在断电情况下通过内部锂电池或外部电源保持数据完整。TML 30512C 提供了 32K x 8 位的存储容量，共计 256K 位。该芯片广泛应用于需要高速访问和数据持久性的工业控制、通信设备、测试仪器和数据记录系统。
容量：256 Kbit
组织结构：32K x 8 位
访问时间：12 ns
电源电压：5V
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：32 引脚 TSOP 或 32 引脚 SOJ
数据保持电流：典型值 10 μA
读/写耐久性：无限次
数据保持时间：典型值 10 年（无外部电源）
TML 30512C 的核心特性之一是其高速访问能力，12 ns 的访问时间使其适用于高性能嵌入式系统。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造，确保低功耗运行，即使在高频率读写操作下也能保持良好的能效表现。
该器件的非易失性特性通过内部锂电池或外部电源实现，在系统断电时自动切换到备用电源，确保数据不会丢失。这种设计特别适合于需要频繁写入且断电后仍需保留关键数据的应用场景。
此外，TML 30512C 支持标准的并行接口，兼容多种微处理器和控制器，简化了系统集成过程。其高可靠性和长数据保持时间使其成为工业自动化、通信设备和嵌入式系统的理想选择。
TML 30512C 常用于需要高速、非易失性存储的场合，例如工业控制系统中的实时数据缓存、通信设备中的配置存储、测试仪器中的测量数据保存，以及医疗设备中的患者数据记录等。其数据在断电后仍可保持的特性，也使其适用于智能电表、远程监控设备和安全系统等应用领域。
TMS320F206PQL、CY14B108A、FM24CL64B
