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TML 20512C 发布时间 时间:2025/8/4 9:07:27 查看 阅读:15

TML20512C 是一款由 Texas Memory Systems(TMS)设计的非易失性存储器(NVRAM)模块,结合了高速SRAM和持久性存储的特点。该模块通常用于需要快速数据访问和断电后数据保留的应用场景。TML20512C 内部集成了锂电池作为电源备份,以确保在系统断电时数据不会丢失。它采用标准的DIMM封装形式,方便在服务器、工业计算机、嵌入式系统等领域中使用。

参数

容量:256MB
  访问时间:7.5ns
  工作电压:3.3V
  接口类型:64位并行接口
  封装形式:标准DIMM 144针
  数据保留时间:典型值为10年(断电状态下)
  工作温度范围:0°C 至 70°C
  功耗:最大2.5W(读/写模式)
  电池寿命:可更换锂锰电池,典型寿命5-7年

特性

TML20512C 具备多项优异特性,使其在工业和高性能计算领域中广泛应用。首先,它结合了SRAM的高速访问性能和非易失性存储的优势,在断电后依然能够保留数据,适用于关键数据存储需求。其7.5ns的访问速度可满足高速缓存或实时数据处理的要求。
  其次,该模块采用64位并行接口,兼容标准内存控制器,简化了系统集成。此外,模块内部集成了电池供电管理电路,确保SRAM在无外部电源时仍能保持数据完整性,并具备低功耗待机模式以延长电池使用寿命。
  另一个重要特性是支持用户自定义配置,例如写保护、电池状态监控和数据清除功能,从而增强了数据安全性。TML20512C 还具备自动刷新和错误检测功能,确保数据在频繁读写过程中的可靠性。
  模块的物理结构采用标准DIMM外形,兼容多种工业主板,并支持热插拔功能,方便现场更换和维护。同时,其宽温工作范围(0°C 至 70°C)使其适用于各种工业环境。

应用

TML20512C 主要用于需要高速数据存储与非易失性数据保留的场合。例如,在服务器和存储系统中用于高速缓存或日志记录;在工业控制设备中用于关键运行参数的临时存储;在数据采集系统中用于突发数据的暂存,确保数据不会因断电而丢失。
  此外,它也适用于嵌入式系统和边缘计算设备,如网络交换机、路由器、工业自动化控制器等,用于临时存储配置信息或运行时数据。在医疗设备中,该模块可用于保存诊断数据或患者信息,确保设备断电后数据依然可用。
  金融行业中的交易终端和自动柜员机(ATM)也常使用TML20512C来缓存交易数据,防止因突发断电导致交易失败或数据不一致。在军工和航空航天领域,其高可靠性和抗干扰能力也使其成为理想的存储解决方案。

替代型号

TML20512C 的替代型号包括:TMS20512C、CELLON M381T512A2B4-CE6、ISSI IS66WVH256M8ALLBLL-108B

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TML 20512C参数

  • 电源输出类型:固定/可调
  • 输入电压范围VAC:90V 到 264V
  • 输出通道数字:3
  • Output Voltage Nom.:5V, 12V, -12V
  • Output Current Max:2.8A, 250mA, 250mA
  • 最大输出功率:20W
  • Applications:General Purpose
  • 宽度:48mm
  • 电流, 输出2:250mA
  • 电流, 输出3:-250mA
  • 输入电压:90V AC 到 264V AC, 100V DC 到 375V DC
  • 输入电压范围VDC:100V 到 375V
  • 输入频率:440Hz
  • 输出电压:5V
  • 输出电压 2:12V
  • 输出电压 3:-12V
  • 输出电流:2.8A
  • 长度:70mm
  • 额定功率:20W
  • 高度:27.6mm