时间：2025/12/27 9:42:51
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TMK325B7475KNHT是一款由村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的表面贴装多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于村田的高性能温度补偿型电容器系列，采用X7R介电材料，具备良好的电容稳定性和宽工作温度范围。该型号专为在高频、高稳定性和高可靠性要求的应用中提供稳定的电容性能而设计，适用于去耦、滤波、旁路和信号耦合等电路功能。其紧凑的封装尺寸（如1210或类似尺寸）使其非常适合空间受限的高密度印刷电路板设计。作为一款无极性被动元件，TMK325B7475KNHT具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有助于提升电源完整性和信号完整性。该产品符合RoHS环保标准，并广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
电容值：4.7μF
额定电压：25V
电容公差：±10%
温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C）
封装尺寸：1210（3225公制）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
直流偏压特性：随电压增加电容值略有下降
介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
安装类型：表面贴装（SMD）
端子类型：镍阻挡层/锡涂层（Ni-Sn）
老化特性：X7R材质不具明显老化特性
尺寸（长×宽×高）：约3.2mm × 2.5mm × 1.6mm
TMK325B7475KNHT采用X7R类II介电材料，具有优异的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值变化不超过±15%。这种稳定性使其适用于对电容漂移敏感的模拟电路和电源管理模块。X7R材料通过掺杂改性钛酸钡实现较高的介电常数，从而在较小封装内实现较大的电容值，满足现代电子产品小型化需求。尽管其介电性能不如C0G/NP0类材料精确，但X7R在成本与性能之间实现了良好平衡。
该电容器具备良好的直流偏压响应特性。虽然随着施加电压升高，实际可用电容会有所下降（这是高介电常数陶瓷材料的固有特性），但村田通过优化内部电极结构和介质层厚度，有效缓解了这一效应。例如，在额定25V电压下工作时，实际电容值仍可保持在标称值的70%-80%，确保电路性能稳定。
机械结构方面，TMK325B7475KNHT采用多层堆叠设计，包含数十至数百层交替排列的内电极与陶瓷介质层，显著提升单位体积的电容密度。其内电极为贵金属材料（如银钯合金）或贱金属材料（如镍），外部端子经过多层镀层处理（如铜/镍/锡），增强了焊接可靠性和抗热冲击能力，适用于回流焊工艺。
电气性能上，该器件具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有利于高频去耦应用，能有效抑制电源噪声和瞬态电压波动。此外，其无极性特性使其适用于交流信号路径中的耦合与滤波任务。产品通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适合在严苛环境中长期运行。
TMK325B7475KNHT广泛用于各类电子系统的电源轨去耦，特别是在微处理器、FPGA、ASIC和DSP等高速数字IC的供电引脚附近，用于滤除高频噪声并稳定电压。其4.7μF的电容值和25V额定电压使其适合作为中等容量储能元件，常用于DC-DC转换器的输入和输出滤波电路中，提升电源转换效率并降低纹波电压。
在工业控制设备中，该电容器可用于PLC模块、传感器信号调理电路和人机界面单元中，提供稳定的电容支持。其宽温特性和高可靠性确保在恶劣工业环境下仍能正常工作。
通信基础设施如基站、光模块和网络交换设备也大量使用此类MLCC，用于射频前端模块的偏置电路滤波、电源管理单元的储能以及高速数据通道的信号完整性保障。
消费类电子产品如智能手机、平板电脑、电视和智能家居设备中，TMK325B7475KNHT被集成于电源管理IC周围，用于电池供电系统的电压稳定。同时，它也可用于音频放大器的耦合电容或EMI滤波电路中，抑制电磁干扰。
此外，在汽车电子领域，包括车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制模块中，该器件因其耐高温和抗震性能而受到青睐。尽管非专门车规级型号可能未通过AEC-Q200认证，但在非关键系统中仍可使用。
GRM32DR71E475KA12L
CL21B475KOQNNNE
C3225X7R1E475K160AC
EMK325ABJ475KL-L
