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TMK325B7106MN-TR 发布时间 时间:2025/7/8 16:07:58 查看 阅读:12

TMK325B7106MN-TR 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效提升电路效率并降低功耗。
  此型号属于逻辑电平驱动 MOSFET,其栅极阈值电压较低,非常适合由微控制器或逻辑电路直接驱动的应用场景。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(V_DS):60V
  最大栅源电压(V_GS):±20V
  最大连续漏极电流(I_D):98A
  导通电阻(R_DS(on)):4.5mΩ (在 V_GS=10V 时)
  栅极电荷(Q_g):88nC
  总电容(C_iss):2430pF
  工作温度范围(T_j):-55°C 至 +175°C

特性

1. 极低的导通电阻,可显著减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频应用场合。
  3. 低栅极电荷,简化了驱动设计并降低了驱动损耗。
  4. 高电流承载能力,确保在高负载条件下的稳定运行。
  5. 宽工作温度范围,适合恶劣环境下的使用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动和控制电路中的电子开关。
  3. 汽车电子系统中的负载切换。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 电池保护和充电管理电路。
  6. 高效能 LED 驱动器和逆变器设计。

替代型号

IRLZ44N, FDN337N, AO3400A

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TMK325B7106MN-TR参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容10µF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±20%
  • 温度系数X7R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 尺寸/尺寸0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.083"(2.10mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称587-2672-6