时间：2025/7/8 16:07:58
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TMK325B7106MN-TR 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效提升电路效率并降低功耗。
此型号属于逻辑电平驱动 MOSFET，其栅极阈值电压较低，非常适合由微控制器或逻辑电路直接驱动的应用场景。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大连续漏极电流(I_D)：98A
导通电阻(R_DS(on))：4.5mΩ (在 V_GS=10V 时)
栅极电荷(Q_g)：88nC
总电容(C_iss)：2430pF
工作温度范围(T_j)：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻，可显著减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，适用于高频应用场合。
3. 低栅极电荷，简化了驱动设计并降低了驱动损耗。
4. 高电流承载能力，确保在高负载条件下的稳定运行。
5. 宽工作温度范围，适合恶劣环境下的使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的电子开关。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 电池保护和充电管理电路。
6. 高效能 LED 驱动器和逆变器设计。
IRLZ44N, FDN337N, AO3400A
