TMK316B7475KLST 时间：2025/12/27 10:35:29 阅读：20

TMK316B7475KLST是一款由村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于通用型表面贴装器件，广泛应用于各类电子电路中，用于电源去耦、信号滤波、旁路和噪声抑制等场景。该型号电容器采用X7R电介质材料，具备良好的温度稳定性和较高的电容密度，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化在±15%以内，适合在多种工作环境下稳定运行。其封装尺寸为1210（英制），即3.2mm x 2.5mm，符合EIA标准，适用于自动化贴片生产工艺。该器件额定电压为50V DC，标称电容值为4.7μF，具有较高的体积效率，能够在有限的PCB空间内提供较大的储能能力。由于采用了镍/锡电极结构（Ni/Sn），该电容器具备良好的可焊性和耐热性，适用于回流焊接工艺，并符合RoHS环保要求，不含铅等有害物质。TMK316B7475KLST常用于工业控制设备、消费类电子产品、通信模块以及汽车电子系统中，作为稳定的无源元件保障电路正常运行。

参数

制造商：Murata
　　产品系列：TMK
　　电容：4.7μF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C to +125°C, ±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/外壳：1210（3225公制）
　　电介质材料：X7R
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　电极材料：Ni/Sn（镍/锡）
　　产品等级：工业级
　　包装类型：卷带（Tape and Reel）
　　高度：约1.6mm
　　老化率：每十年小于2.5%
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降（典型X7R行为）

特性

TMK316B7475KLST采用X7R电介质材料，这种材料具有优异的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内维持电容值的变化不超过±15%，这使得它非常适合在环境温度波动较大的应用中使用，如工业控制系统、汽车电子以及户外通信设备。X7R陶瓷电容器虽然不具有C0G/NP0级别的超高精度稳定性，但其在电容密度和成本之间实现了良好平衡，因此被广泛用于去耦、滤波和旁路等对电容值精度要求适中的场合。该器件的4.7μF电容值在50V额定电压下属于较高容量水平，尤其在1210封装尺寸中具备较强的竞争力，能够替代部分钽电容或铝电解电容的应用，从而提升系统的可靠性并减小整体体积。由于陶瓷电容器本身具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），TMK316B7475KLST在高频去耦方面表现出色，能有效滤除电源线上的高频噪声，提升数字电路的稳定性。
　　该电容器采用表面贴装设计，兼容自动化贴片工艺，适合大规模生产。其端电极为三层电极结构（Ni/Sn），具备良好的可焊性和抗热冲击性能，能够承受多次回流焊过程而不损坏，适用于无铅焊接工艺。此外，该器件符合RoHS指令要求，不含铅、镉、汞等有害物质，满足现代电子产品对环保和可持续发展的需求。需要注意的是，X7R材料具有一定的电压依赖性，即在接近额定电压时电容值会显著下降，因此在实际应用中应留有适当的电压裕量以确保足够的有效电容。同时，陶瓷电容器对机械应力较为敏感，PCB布局和组装过程中应避免过度弯曲或热应力集中，建议采用适当的焊盘设计和装配工艺以减少开裂风险。

应用

TMK316B7475KLST多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子系统中，主要功能包括电源去耦、滤波、旁路和储能。在数字电路中，它常被用作微处理器、FPGA、ASIC等高速芯片的电源引脚去耦电容，有效抑制因开关电流突变引起的电压波动，提高电源完整性。在电源管理系统中，该器件可用于DC-DC转换器的输入和输出滤波，平滑电压纹波，提升转换效率与稳定性。此外，在模拟信号链路中，它可以作为低频耦合或滤波元件，配合其他无源器件构建RC滤波网络，抑制干扰信号。在工业控制设备中，由于其宽温特性和高可靠性，常用于PLC模块、传感器接口电路和电机驱动控制板中。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中，该电容用于主板上的多点去耦，保障复杂电路的稳定运行。汽车电子领域也是其重要应用场景，包括车载信息娱乐系统、ADAS模块和车身控制单元，能够在高温、振动等恶劣环境下长期可靠工作。此外，通信基础设施设备如基站、路由器和交换机也广泛采用此类MLCC进行信号调理和电源净化。由于其无磁性、低损耗和长寿命特性，还适用于医疗电子、测试测量仪器等对稳定性要求较高的专业设备。