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TMK316AB7475KL-T 发布时间 时间:2025/5/8 13:39:14 查看 阅读:3

TMK316AB7475KL-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
  此型号是针对高效率、低损耗应用场景优化后的版本,适合需要高频工作的工业设备、通信电源以及消费类电子产品中。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  耐压:750V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:35nC
  输入电容:1200pF
  最大功耗:200W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

TMK316AB7475KL-T 的主要特点是其卓越的电气性能和可靠性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在大电流条件下可显著降低传导损耗。
  2. 快速开关能力,能够有效减少开关损耗,提升系统整体效率。
  3. 具备强大的雪崩能量吸收能力,提高了器件在异常情况下的耐用性。
  4. 高击穿电压设计使其能够在恶劣环境下稳定运行。
  5. 采用紧凑型封装技术,有助于节省电路板空间并简化热管理设计。
  此外,这款芯片还经过严格的质量测试流程,确保长期使用中的可靠性和一致性。

应用

TMK316AB7475KL-T 主要适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)及适配器。
  2. 逆变器和不间断电源(UPS)。
  3. DC-DC转换器与降压/升压电路。
  4. 工业电机驱动控制。
  5. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备。
  6. 各种需要高频高效开关操作的电子装置。
  由于其高耐压值和较大电流承载能力,特别适合要求苛刻的高压环境。

替代型号

TMK316AB7475KL-P, IRFP460, STP75NF06L

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TMK316AB7475KL-T参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容4.7µF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±10%
  • 温度系数X7R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 尺寸/尺寸0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.071"(1.80mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称587-2986-6