时间：2025/7/9 10:27:15
阅读：23
TMK316AB7475KD-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而有效降低功耗并提高系统效率。
此型号为 N 沟道增强型 MOSFET，具有出色的热性能和可靠性，适合在严苛的工作环境下运行。
最大漏源电压：750V
连续漏极电流：16A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=50ns, toff=25ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高耐压能力：漏源电压高达 750V，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅为 0.18Ω，显著减少导通损耗。
3. 快速开关性能：超低的栅极电荷和优化的开关时间，确保高频操作时的高效性。
4. 优异的热稳定性：能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 高可靠性设计：经过严格测试以满足工业标准的要求，适用于多种恶劣环境下的长期使用。
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 电动汽车和混合动力汽车中的电力转换
4. 太阳能逆变器
5. 各类 DC-DC 转换器
6. 电池保护与管理系统
7. 高效 LED 照明驱动电路
IRFP260N
FDP18N75
STP16NF75
