TMK316AB7475KD-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,从而有效降低功耗并提高系统效率。
此型号为 N 沟道增强型 MOSFET,具有出色的热性能和可靠性,适合在严苛的工作环境下运行。
最大漏源电压:750V
连续漏极电流:16A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:45nC
开关时间:ton=50ns, toff=25ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 高耐压能力:漏源电压高达 750V,适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻:仅为 0.18Ω,显著减少导通损耗。
3. 快速开关性能:超低的栅极电荷和优化的开关时间,确保高频操作时的高效性。
4. 优异的热稳定性:能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 高可靠性设计:经过严格测试以满足工业标准的要求,适用于多种恶劣环境下的长期使用。
1. 开关电源(SMPS)
2. 工业电机驱动
3. 电动汽车和混合动力汽车中的电力转换
4. 太阳能逆变器
5. 各类 DC-DC 转换器
6. 电池保护与管理系统
7. 高效 LED 照明驱动电路
IRFP260N
FDP18N75
STP16NF75