时间：2025/6/16 19:30:48
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TMK212SD153JD-T是一款专为汽车电子应用设计的高压MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有卓越的开关性能和耐高压能力，广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效率和高可靠性的电路中。其封装形式为TO-263，具备良好的散热性能，适合在高温和高功率环境下工作。
这款功率MOSFET以低导通电阻（Rds(on)）著称，从而降低功耗并提升整体效率。同时，它还具备快速开关速度和较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗。此外，该型号内置了ESD保护功能，提升了器件的鲁棒性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：1690pF
总电容：3700pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，能够适应高频工作环境。
3. 高额定电流能力，满足大功率应用需求。
4. 耐高压设计，确保在复杂电气环境下的稳定性。
5. 内置ESD保护机制，增强器件的抗干扰能力。
6. 符合AEC-Q101标准，适用于汽车级应用。
7. 封装结构具备良好的散热性能，适合长时间高温运行。
1. 汽车电子系统中的DC-DC转换器。
2. 工业控制中的电机驱动电路。
3. 高效负载开关。
4. 电源管理模块中的功率级元件。
5. 各种需要高电流和高效率的电力转换场合。
TMK212SD153JL-T, IRF3205, SI4485DY
