时间：2025/6/25 20:08:42
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TMK107BBJ225KAHT 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该器件具有快速开关特性、低导通电阻和高击穿电压等优势，适用于各种电源转换和射频应用。其封装形式经过优化，能够提供出色的散热性能和电气连接稳定性。
型号：TMK107BBJ225KAHT
类型：增强型 GaN 功率晶体管
最大漏源电压：650 V
最大连续漏极电流：30 A
导通电阻：22.5 mΩ
栅极电荷：85 nC
开关频率：最高可达 5 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-247-4L
TMK107BBJ225KAHT 器件采用了先进的氮化镓材料制造工艺，相比传统的硅基 MOSFET 具有显著的性能优势。
1. 高效能量转换：由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件能够在高频工作条件下保持高效的能量转换，减少损耗。
2. 紧凑设计：GaN 技术使得 TMK107BBJ225KAHT 在相同功率等级下比传统硅器件更小，有助于实现更高密度的设计。
3. 耐高温能力：工作温度范围宽广，支持极端环境下的可靠运行。
4. 高可靠性：经过严格的测试和验证流程，确保在各种应用场景中具备长期稳定性和耐用性。
TMK107BBJ225KAHT 广泛应用于需要高效功率转换和高频操作的领域。
1. 开关电源 (SMPS)：
- 数据中心电源
- 服务器电源
2. 工业设备：
- 不间断电源 (UPS)
- 电机驱动器
3. 新能源：
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电设备
4. 射频放大器：
- 高频通信系统
- 微波设备
TMK107BBJ225KAHT 的替代型号包括但不限于以下几种：TMK107BBJ225KAHT-R、TMK107BBJ225KAHT-S、GXT225H650A
